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Halbleitertechnik und Siliciumdioxid

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Halbleitertechnik und Siliciumdioxid

Halbleitertechnik vs. Siliciumdioxid

Integrierter Schaltkreis (IC). Das Chip-Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen Anschlussleitungen zu erkennen, die die elektrische Verdrahtung zwischen IC und Gehäusekontakten bilden. Die Halbleitertechnik (HLT) ist ein technischer Fachbereich, der sich mit Entwurf und Fertigung von Produkten auf der Basis von Halbleitermaterialien, vor allem mit denen für mikroelektronische Baugruppen, beispielsweise integrierte Schaltungen, beschäftigt. Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.

Ähnlichkeiten zwischen Halbleitertechnik und Siliciumdioxid

Halbleitertechnik und Siliciumdioxid haben 13 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Amorphes Material, Chemische Gasphasenabscheidung, Dielektrikum, Flusssäure, Fotolithografie (Halbleitertechnik), High-k-Dielektrikum, Integrierter Schaltkreis, Kristall, Low-k-Dielektrikum, Meter, Mikrosystemtechnik, Silicium, Thermische Oxidation von Silizium.

Amorphes Material

Als amorphes Material („Gestalt, Form“ mit vorgesetztem Alpha privativum a-, Sinn also etwa „ohne Gestalt“) bezeichnet man in der Physik und der Chemie einen Stoff, bei dem die Atome keine geordneten Strukturen, sondern ein unregelmäßiges Muster bilden und lediglich über Nahordnung, nicht aber Fernordnung verfügen.

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Chemische Gasphasenabscheidung

Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (CVD), selten auch chemische Dampfphasenabscheidung, versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren bzw.

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Dielektrikum

Als Dielektrikum (Mehrzahl: Dielektrika) wird eine elektrisch schwach- oder nichtleitende Substanz bezeichnet, in der die vorhandenen Ladungsträger nicht frei beweglich sind.

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Flusssäure

Flusssäure, auch Fluorwasserstoffsäure genannt (zur Namensgebung siehe Fluorit), ist die wässrige Lösung von Fluorwasserstoff (HF).

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Fotolithografie (Halbleitertechnik)

Die Fotolithografie (auch Photolithographie) ist eine der zentralen Methoden der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik zur Herstellung von integrierten Schaltungen und weiteren Produkten.

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High-k-Dielektrikum

Als High-k-Dielektrikum wird in der Halbleitertechnik ein Material bezeichnet, das eine höhere Dielektrizitätszahl _\mathrm aufweist als herkömmliches Siliciumdioxid (εr.

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Integrierter Schaltkreis

Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.

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Kristall

Nanometer. Ein Kristall ist ein Festkörper, dessen Bausteine – z. B.

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Low-k-Dielektrikum

Als Low-k-Dielektrikum wird in der Halbleitertechnologie ein Material bezeichnet, das eine niedrigere Dielektrizitätszahl als SiO2 aufweist, d. h.

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Meter

Der Meter ist die Basiseinheit der Länge im Internationalen Einheitensystem (SI) und in anderen metrischen Einheitensystemen.

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Mikrosystemtechnik

Mikroheizung Die Mikrosystemtechnik (MST), selten auch Mikrosystemtechnologie, ist ein Teilbereich der Mikrotechnik und beschäftigt sich mit der Lehre, Forschung & Entwicklung sowie Herstellung von Mikrosystemen.

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Silicium

Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.

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Thermische Oxidation von Silizium

Die thermische Oxidation von Silizium ist ein Verfahren zur Änderung der Oberflächeneigenschaften, bei dem an der Oberfläche eines Siliziumsubstrats (beispielsweise einem Silizium-Wafer) oder einer Teilstruktur aus Silizium eine dünne Schicht aus amorphem Siliziumdioxid erzeugt wird.

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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Halbleitertechnik und Siliciumdioxid

Halbleitertechnik verfügt über 127 Beziehungen, während Siliciumdioxid hat 111. Als sie gemeinsam 13 haben, ist der Jaccard Index 5.46% = 13 / (127 + 111).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Halbleitertechnik und Siliciumdioxid. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

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