Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Halbleiterspeicher und Random-Access Memory
Halbleiterspeicher und Random-Access Memory haben 23 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bit, Computer, Datenspeicher, DDR-SDRAM, Dynamic Random Access Memory, Extended Data Output Random Access Memory, Ferroelectric Random Access Memory, Festwertspeicher, Flash-Speicher, Flipflop, Integrierter Schaltkreis, Kernspeicher, Kondensator (Elektrotechnik), Magnetoresistive Random Access Memory, Mikrocontroller, NOR-Flash, Phase-change Random Access Memory, Pseudostatisches RAM, Racetrack-Speicher, Speichermodul, Static random-access memory, Synchronous Dynamic Random Access Memory, Wahlfreier Zugriff.
Bit
Der Begriff Bit (Kofferwort aus) Duden, Bibliographisches Institut, 2016 wird in der Informatik, der Informationstechnik, der Nachrichtentechnik sowie verwandten Fachgebieten in folgenden Bedeutungen verwendet.
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Computer
Ein Computer (englisch; deutsche Aussprache) oder Rechner ist ein Gerät, das mittels programmierbarer Rechenvorschriften Daten verarbeitet.
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Datenspeicher
Einige Massenspeichermedien (Streichholz als Maßstab) Ein Datenspeicher dient in der Datenverarbeitung zur Speicherung von Daten.
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DDR-SDRAM
Zwei DDR-SDRAM-Module: oben 512 MiB beidseitig bestückt mit Heatspreader, unten 256 MiB einseitig bestückt SDRAM (nicht im Bild) hat zwei Kerben in der Kontaktleiste. DDR-SDRAM (oft auch nur: DDR-RAM) ist ein halbleiterbasierter RAM-Typ, der durch Weiterentwicklung von SDRAM entstand.
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Dynamic Random Access Memory
VRAM. Dynamic Random Access Memory (DRAM) oder der halb eingedeutschte Begriff dynamisches RAM bezeichnet eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff (Random-Access Memory, RAM), der hauptsächlich in Computern eingesetzt wird, jedoch auch in anderen elektronischen Geräten wie zum Beispiel Druckern zur Anwendung kommt.
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Extended Data Output Random Access Memory
SIMM 2× 512kB EDO-RAM von Mosel Vitelic auf einer 3dfx Voodoo Graphics Der EDO-RAM (Extended Data Output RAM, auch als Hyper Page Mode RAM bezeichnet) ist ein Halbleiterspeicher.
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Ferroelectric Random Access Memory
FeRAM von Ramtron Als Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen Speichertyp auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften, das heißt dem Ferromagnetismus analoge elektrische Eigenschaften.
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Festwertspeicher
Ein Festwertspeicher oder Nur-Lese-Speicher (ROM) ist ein Datenspeicher, auf dem im normalen Betrieb nur lesend zugegriffen werden kann, nicht schreibend, und der nicht flüchtig ist.
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Flash-Speicher
Flash-Speicher sind digitale Speicherbausteine für eine nichtflüchtige Speicherung ohne Erhaltungs-Energieverbrauch.
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Flipflop
EN 60617–12 ''Graphische Symbole für Schaltpläne – Teil 12: Binäre Elemente.'' April 1999, Deutsche Übersetzung der internationalen Norm IEC 60617–12:1997 DIL-Gehäuse, gefertigt seit etwa Mitte der 1980er Jahre Ein Flipflop (auch Flip-Flop), oft auch bistabile Kippstufe oder bistabiles Kippglied genannt, ist eine elektronische Schaltung, die zwei stabile Zustände des Ausgangssignals besitzt.
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Kernspeicher
Großaufnahme von Ringkernen mit Schreib-/Leseleitungen Der Kernspeicher, Magnetkernspeicher oder auch Ferritkernspeicher (oder) ist eine frühe Form nichtflüchtigen Speichers mit wahlfreiem Zugriff von Rechnern.
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Kondensator (Elektrotechnik)
Prinzipdarstellung eines Kondensators mit Dielektrikum Ein Kondensator (von) ist ein passives elektrisches Bauelement mit der Fähigkeit, in einem Gleichstromkreis elektrische Ladung und die damit zusammenhängende Energie statisch in einem elektrischen Feld zu speichern.
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Magnetoresistive Random Access Memory
Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) ist eine nichtflüchtige Speichertechnik, die seit den 1990er Jahren entwickelt wird.
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Mikrocontroller
Als Mikrocontroller (auch µController, µC, MCU oder Einchipmikrorechner) werden Halbleiterchips bezeichnet, die einen Prozessor und zugleich auch Peripheriefunktionen enthalten.
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NOR-Flash
NOR-Flash-Chip von Intel in einem iPhone 3G NOR-Flash bezeichnet einen Typ von Flash-Speicher, der in der sogenannten NOR-Technik gefertigt ist.
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Phase-change Random Access Memory
Phase-change Random Access Memory (PCRAM, PRAM oder kurz PCM; in einer speziellen Ausführung auch Ovonics Unified Memory, OUM oder chalcogenide RAM, C-RAM) ist ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher in der Elektronik (Stand 2009).
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Pseudostatisches RAM
1 Mbit pseudostatisches RAM-Baustein, Typ TC518129CFWL-80, von Toshiba Pseudostatisches RAM (PSRAM) bezeichnet einen Typ von Speicherbausteinen für Computer.
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Racetrack-Speicher
Racetrack-Speicher ist ein als Konzept existierender Speicher mit einer magnetoelektronischen Arbeitsweise.
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Speichermodul
Ein Speichermodul oder Speicherriegel ist eine kleine Leiterplatte, auf der mehrere Speicherbausteine (Dynamisches RAM in Form von integrierten Schaltkreisen) aufgelötet sind.
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Static random-access memory
Hynix Static random-access memory (deutsch: statisches RAM, Abkürzung: SRAM) bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein.
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Synchronous Dynamic Random Access Memory
PC-133-SDRAM-Modul SDRAM-Speichermodule auf einer Hauptplatine Synchronous Dynamic Random Access Memory (engl., kurz SDRAM, dt. „synchrones DRAM“) ist eine Halbleiterspeicher-Variante, die beispielsweise als Arbeitsspeicher in Computern eingesetzt wird.
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Wahlfreier Zugriff
Folgezugriff und wahlfreier Zugriff Unter wahlfreiem Zugriff (auch „direkter Zugriff“, „Direktzugriff“) wird in der Informatik die Möglichkeit verstanden, in konstanter (oder unter-linearer) Zeit einen lesenden und/oder schreibenden Speicherzugriff auf ein beliebiges Element eines Datenspeichers oder einer Datenstruktur durchführen zu können.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Halbleiterspeicher und Random-Access Memory
- Was es gemein hat Halbleiterspeicher und Random-Access Memory
- Ähnlichkeiten zwischen Halbleiterspeicher und Random-Access Memory
Vergleich zwischen Halbleiterspeicher und Random-Access Memory
Halbleiterspeicher verfügt über 77 Beziehungen, während Random-Access Memory hat 56. Als sie gemeinsam 23 haben, ist der Jaccard Index 17.29% = 23 / (77 + 56).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Halbleiterspeicher und Random-Access Memory. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
