Logo
Unionpedia
Kommunikation
Jetzt bei Google Play
Neu! Laden Sie Unionpedia auf Ihrem Android™-Gerät herunter!
Frei
Schneller Zugriff als Browser!
 

Halbleiter und Siliciumcarbid

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Halbleiter und Siliciumcarbid

Halbleiter vs. Siliciumcarbid

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt. Siliciumcarbid (Trivialname: Karborund; andere Schreibweisen: Siliziumcarbid und Siliziumkarbid) ist eine zur Gruppe der Carbide gehörende chemische Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff.

Ähnlichkeiten zwischen Halbleiter und Siliciumcarbid

Halbleiter und Siliciumcarbid haben 26 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bandlücke, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode, Bor, Chemische Gasphasenabscheidung, Chemische Verbindung, Diamant, Dotierung, Einkristall, Elektrisches Bauelement, Elektronenvolt, Halbleiter, Halbleiter mit breitem Bandabstand, Integrierter Schaltkreis, Kohlenstoff, Kovalente Bindung, Leckstrom, Leistungselektronik, Leuchtdiode, Nichtleiter, Periodensystem, Phosphor, Photodiode, Physical Review, Schottky-Diode, Silicium, Siliciumdioxid.

Bandlücke

Als Bandlücke, auch Bandabstand bzw.

Bandlücke und Halbleiter · Bandlücke und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

Schaltzeichen der vier IGBT-Typen nach DIN EN 60617-5 Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt.

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Halbleiter · Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Bor

Bor ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol B und der Ordnungszahl 5.

Bor und Halbleiter · Bor und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Chemische Gasphasenabscheidung

Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (CVD), selten auch chemische Dampfphasenabscheidung, versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren bzw.

Chemische Gasphasenabscheidung und Halbleiter · Chemische Gasphasenabscheidung und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Chemische Verbindung

Als chemische Verbindung bezeichnet man einen Reinstoff, dessen kleinste Einheiten (zum Beispiel Moleküle) aus Atomen von zwei oder mehreren chemischen Elementen besteht, wobei – im Gegensatz zu Gemischen – die Atomarten zueinander in einem festen stöchiometrischen Verhältnis stehen.

Chemische Verbindung und Halbleiter · Chemische Verbindung und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Diamant

Diamant ist die kubische Modifikation des Kohlenstoffs und als natürlich vorkommender Feststoff ein Mineral aus der Mineralklasse der Elemente.

Diamant und Halbleiter · Diamant und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Dotierung

Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.

Dotierung und Halbleiter · Dotierung und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Einkristall

Monokristallines Silicium (Ingot) für die Wafer-Herstellung Ein Einkristall oder Monokristall ist ein makroskopischer Kristall, dessen Bausteine (Atome, Ionen oder Moleküle) ein durchgehendes einheitliches, homogenes Kristallgitter bilden.

Einkristall und Halbleiter · Einkristall und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Elektrisches Bauelement

Als elektrisches Bauelement wird in der Elektrotechnik ein wesentlicher Bestandteil einer elektrischen Schaltung bezeichnet, der physisch nicht weiter unterteilt werden kann, ohne seine Funktion zu verlieren.

Elektrisches Bauelement und Halbleiter · Elektrisches Bauelement und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Elektronenvolt

Das Elektronenvolt, amtlich Elektronvolt, ist eine Einheit der Energie, die in der Atom-, Kern- und Teilchenphysik häufig benutzt wird.

Elektronenvolt und Halbleiter · Elektronenvolt und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Halbleiter

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

Halbleiter und Halbleiter · Halbleiter und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Halbleiter mit breitem Bandabstand

UV-LED mit dem Wide-Bandgap-Material InGaN Halbleiter mit breitem BandabstandWerner Bindmann: German Dictionary of Microelectronics. Psychology Press, 1999, ISBN 0-415-17340-X, S. 478.

Halbleiter und Halbleiter mit breitem Bandabstand · Halbleiter mit breitem Bandabstand und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Integrierter Schaltkreis

Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.

Halbleiter und Integrierter Schaltkreis · Integrierter Schaltkreis und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Kohlenstoff

Kohlenstoff (von urgerm. kul-a-, kul-ō(n)-,Kohle‘) oder Carbon (von lat. carbō,Holzkohle‘, latinisiert Carboneum oder Carbonium) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol C und der Ordnungszahl 6.

Halbleiter und Kohlenstoff · Kohlenstoff und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Kovalente Bindung

Kovalente Bindung (ältere Begriffe: Atombindung, Elektronenpaarbindung oder homöopolare Bindung) ist eine Form der chemischen Bindungen und als solche für den festen Zusammenhalt von Atomen in molekular aufgebauten chemischen Verbindungen ursächlich.

Halbleiter und Kovalente Bindung · Kovalente Bindung und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Leckstrom

Als Leckstrom bezeichnet man in der Elektrotechnik und Elektronik einen elektrischen Strom, der in Halbleiterbauelementen über einen Pfad fließt, der nicht zur Leitung von Strom vorgesehen ist.

Halbleiter und Leckstrom · Leckstrom und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Leistungselektronik

Die Leistungselektronik ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik, das sich mit der Umformung elektrischer Energie mit schaltenden elektronischen Bauelementen beschäftigt.

Halbleiter und Leistungselektronik · Leistungselektronik und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Leuchtdiode

Eine Leuchtdiode (kurz LED von, ‚lichtemittierende Diode‘, auch Lumineszenz-Diode) ist ein Halbleiter-Bauelement, das Licht ausstrahlt, wenn elektrischer Strom in Durchlassrichtung fließt.

Halbleiter und Leuchtdiode · Leuchtdiode und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Nichtleiter

Nichtleiter sind Stoffe, deren elektrische Leitfähigkeit mit weniger als 10−8 S·cm−1 bzw.

Halbleiter und Nichtleiter · Nichtleiter und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Periodensystem

Das Periodensystem (Langfassung Periodensystem der Elemente, abgekürzt PSE oder PSdE) ist eine Liste aller chemischen Elemente, geordnet nach steigender Kernladung (Ordnungszahl).

Halbleiter und Periodensystem · Periodensystem und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Phosphor

Phosphor (von, vom Leuchten des weißen Phosphors bei der Reaktion mit Sauerstoff) ist ein chemisches Element mit dem Symbol P und der Ordnungszahl 15.

Halbleiter und Phosphor · Phosphor und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Photodiode

Verschiedene Bauformen von Photodioden Eine Photodiode oder auch Fotodiode ist eine Halbleiter-Diode, die Licht – im sichtbaren, IR- oder UV-Bereich, oder bei Verwendung von Szintillatoren auch Röntgenstrahlen – an einem p-n-Übergang oder pin-Übergang durch den inneren Photoeffekt in einen elektrischen Strom umwandelt oder – je nach Beschaltung – diesem einen beleuchtungsabhängigen Widerstand bietet.

Halbleiter und Photodiode · Photodiode und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Physical Review

Physical Review ist eine der ältesten und angesehensten Fachzeitschriften in der Physik.

Halbleiter und Physical Review · Physical Review und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Schottky-Diode

Handelsübliche Schottky-Dioden in unterschiedlichen Gehäusen HP 5082-2800 Schottky-Dioden Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine auf schnelles Schalten oder einen niedrigeren Spannungsabfall in Durchlassrichtung optimierte Diode.

Halbleiter und Schottky-Diode · Schottky-Diode und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Silicium

Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.

Halbleiter und Silicium · Silicium und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Siliciumdioxid

Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.

Halbleiter und Siliciumdioxid · Siliciumcarbid und Siliciumdioxid · Mehr sehen »

Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Halbleiter und Siliciumcarbid

Halbleiter verfügt über 248 Beziehungen, während Siliciumcarbid hat 158. Als sie gemeinsam 26 haben, ist der Jaccard Index 6.40% = 26 / (248 + 158).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Halbleiter und Siliciumcarbid. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

Hallo! Wir sind auf Facebook! »