Halbleiter und Schottky-Diode

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Halbleiter und Schottky-Diode

Halbleiter vs. Schottky-Diode

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt. Handelsübliche Schottky-Dioden in unterschiedlichen Gehäusen HP 5082-2800 Schottky-Dioden Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine auf schnelles Schalten oder einen niedrigeren Spannungsabfall in Durchlassrichtung optimierte Diode.

Bändermodell

Das Bändermodell oder Energiebändermodell ist ein quantenmechanisches Modell zur Beschreibung von elektronischen Energiezuständen in einem idealen Einkristall.

Bändermodell und Halbleiter · Bändermodell und Schottky-Diode · Mehr sehen »

Bipolartransistor

Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.

Bipolartransistor und Halbleiter · Bipolartransistor und Schottky-Diode · Mehr sehen »

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

Schaltzeichen der vier IGBT-Typen nach DIN EN 60617-5 Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt.

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Halbleiter · Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Schottky-Diode · Mehr sehen »

Detektorempfänger

Detektorempfänger (von; auch Detektorradio, Diodenempfänger) waren in den Anfangstagen des Rundfunks die einfachsten Geräte zum Empfang von Hörfunksendungen, die zum Beispiel über Kurz-, Mittel- oder Langwelle amplitudenmoduliert ausgestrahlt wurden.

Detektorempfänger und Halbleiter · Detektorempfänger und Schottky-Diode · Mehr sehen »

Diode

Schaltzeichen einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Elektrode bei Beschaltung in Durchlassrichtung Auswirkung einer Diode je nach Richtung (Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen Eine Diode ist ein elektronisches Bauelement auf Halbleiterbasis, das elektrischen Strom in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt.

Diode und Halbleiter · Diode und Schottky-Diode · Mehr sehen »

Dotierung

Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.

Dotierung und Halbleiter · Dotierung und Schottky-Diode · Mehr sehen »

Elektronik

Elektronikbaugruppe eines Frequenzumrichters integrierten Schaltkreis (oben), Widerständen (rechts unten), zwei Leuchtdioden (Mitte links) und einem Kondensator (hellbrauner Quader Mitte rechts) Die Elektronik ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik.

Elektronik und Halbleiter · Elektronik und Schottky-Diode · Mehr sehen »

Ferdinand Braun

Karl Ferdinand Braun (* 6. Juni 1850 in Fulda; † 20. April 1918 in New York) war ein deutscher Physiker, Lehrer, Elektrotechniker und Nobelpreisträger (1909, gemeinsam mit Guglielmo Marconi), der in besonderem Maße daran mitwirkte, die von Heinrich Hertz 1888 experimentell nachgewiesene elektromagnetische Strahlung nachrichtentechnisch nutzbar zu machen.

Ferdinand Braun und Halbleiter · Ferdinand Braun und Schottky-Diode · Mehr sehen »

Fermi-Energie

Die Fermi-Energie (auch Fermi-Niveau oder Fermi-Potential, engste Umgebung Fermi-Kante; nach Enrico Fermi) ist ein physikalischer Begriff aus der Quantenstatistik.

Fermi-Energie und Halbleiter · Fermi-Energie und Schottky-Diode · Mehr sehen »

Galliumarsenid

Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann.

Galliumarsenid und Halbleiter · Galliumarsenid und Schottky-Diode · Mehr sehen »

Gleichrichter

Gleichrichter werden in der Elektrotechnik und Elektronik zur Umwandlung von Wechselspannung in ''Gleich''spannung verwendet.

Gleichrichter und Halbleiter · Gleichrichter und Schottky-Diode · Mehr sehen »

Halbleiter

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

Halbleiter und Halbleiter · Halbleiter und Schottky-Diode · Mehr sehen »

Leckstrom

Als Leckstrom bezeichnet man in der Elektrotechnik und Elektronik einen elektrischen Strom, der in Halbleiterbauelementen über einen Pfad fließt, der nicht zur Leitung von Strom vorgesehen ist.

Halbleiter und Leckstrom · Leckstrom und Schottky-Diode · Mehr sehen »

Leistungselektronik

Die Leistungselektronik ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik, das sich mit der Umformung elektrischer Energie mit schaltenden elektronischen Bauelementen beschäftigt.

Halbleiter und Leistungselektronik · Leistungselektronik und Schottky-Diode · Mehr sehen »

Leitungsband

Der Begriff Leitungsband gehört in der Festkörperphysik zum Bändermodell, mit dem die elektrische Leitfähigkeit von Materialien erklärt wird.

Halbleiter und Leitungsband · Leitungsband und Schottky-Diode · Mehr sehen »

P-n-Übergang

Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.

Halbleiter und P-n-Übergang · P-n-Übergang und Schottky-Diode · Mehr sehen »

Silicium

Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.

Halbleiter und Silicium · Schottky-Diode und Silicium · Mehr sehen »

Siliciumcarbid

Siliciumcarbid (Trivialname: Karborund; andere Schreibweisen: Siliziumcarbid und Siliziumkarbid) ist eine zur Gruppe der Carbide gehörende chemische Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff.

Halbleiter und Siliciumcarbid · Schottky-Diode und Siliciumcarbid · Mehr sehen »

Siliciumgermanium

Siliciumgermanium (fachsprachlich; standardsprachlich Siliziumgermanium), kurz SiGe, ist ein IV-IV-Verbindungshalbleiter bestehend aus den Elementen Silicium (Si) und Germanium (Ge).

Halbleiter und Siliciumgermanium · Schottky-Diode und Siliciumgermanium · Mehr sehen »

Spitzendiode

Spitzendiode mit Dotierungszone um den Kontakt Typische Germanium-Spitzendiode im Glasgehäuse für bis etwa 1 GHz Eine Spitzendiode ist eine Form einer Halbleiter-Diode, bei der eine feine Metallspitze auf ein einkristallines Halbleiterplättchen drückt und dort einen lokalen Metall-Halbleiter-Übergang, einen so genannten Schottky-Kontakt, bildet.

Halbleiter und Spitzendiode · Schottky-Diode und Spitzendiode · Mehr sehen »

Walter Schottky

Walter Schottky Walter Hans Schottky (* 23. Juli 1886 in Zürich; † 4. März 1976 in Forchheim (Oberfranken)) war ein deutscher Physiker und Elektrotechniker.

Halbleiter und Walter Schottky · Schottky-Diode und Walter Schottky · Mehr sehen »