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Gunn-Effekt und Halbleiter

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Gunn-Effekt und Halbleiter

Gunn-Effekt vs. Halbleiter

Der Gunn-Effekt ist ein physikalischer Effekt, der in manchen Halbleitermaterialien bei hohen elektrischen Feldstärken auftritt und einen negativen differentiellen Widerstand bewirkt. Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

Ähnlichkeiten zwischen Gunn-Effekt und Halbleiter

Gunn-Effekt und Halbleiter haben 11 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bandstruktur, Beweglichkeit (Physik), Defektelektron, Elektron, Elektronenvolt, Galliumarsenid, Halbleiter, Indiumphosphid, Leitungsband, Phonon, Valenzband.

Bandstruktur

Die Bandstruktur beschreibt die Zustände von Elektronen und Löchern eines kristallinen Festkörpers im Impulsraum und damit die Beschaffenheit dessen elektronischer Struktur.

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Beweglichkeit (Physik)

Die Beweglichkeit \textstyle b bzw.

Beweglichkeit (Physik) und Gunn-Effekt · Beweglichkeit (Physik) und Halbleiter · Mehr sehen »

Defektelektron

Als Defektelektron, Elektronenfehlstelle, Elektronenloch oder Loch wird der (gedachte) positive bewegliche Ladungsträger in Halbleitern bezeichnet.

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Elektron

Das Elektron (IPA:,; von „Bernstein“) ist ein negativ geladenes stabiles Elementarteilchen.

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Elektronenvolt

Das Elektronenvolt, amtlich Elektronvolt, ist eine Einheit der Energie, die in der Atom-, Kern- und Teilchenphysik häufig benutzt wird.

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Galliumarsenid

Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann.

Galliumarsenid und Gunn-Effekt · Galliumarsenid und Halbleiter · Mehr sehen »

Halbleiter

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

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Indiumphosphid

Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik für Laser für die dämpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm über Glasfaserkabel, in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von Integrierten Schaltkreisen (Sandwich-Chips) mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darüber und bei Bauelementen im Bereich der Hochfrequenztechnik wie der Gunndiode eingesetzt wird.

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Leitungsband

Der Begriff Leitungsband gehört in der Festkörperphysik zum Bändermodell, mit dem die elektrische Leitfähigkeit von Materialien erklärt wird.

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Phonon

Ein Phonon ist die elementare Anregung (Quant) des elastischen Feldes.

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Valenzband

Der Begriff Valenzband gehört zum Bändermodell, mit dem die elektrische Leitfähigkeit, speziell die der Halbleiter, erklärt wird.

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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Gunn-Effekt und Halbleiter

Gunn-Effekt verfügt über 30 Beziehungen, während Halbleiter hat 248. Als sie gemeinsam 11 haben, ist der Jaccard Index 3.96% = 11 / (30 + 248).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Gunn-Effekt und Halbleiter. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

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