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Germanium und Halbleiter

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Germanium und Halbleiter

Germanium vs. Halbleiter

Germanium (von ‚Deutschland‘, nach dem Land, in dem es zuerst gefunden wurde) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Ge und der Ordnungszahl 32. Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

Ähnlichkeiten zwischen Germanium und Halbleiter

Germanium und Halbleiter haben 20 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bandlücke, Bipolartransistor, Chemische Gasphasenabscheidung, Diamantstruktur, Einkristall, Elektronenvolt, Elektronik, Galliumarsenid, Germanium(IV)-oxid, Halbleiter, Halbmetalle, Hauptgruppe, Periodensystem, Selen, Silicium, Siliciumgermanium, Wafer, Zinkselenid, Zinn, Zonenschmelzverfahren.

Bandlücke

Als Bandlücke, auch Bandabstand bzw.

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Bipolartransistor

Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.

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Chemische Gasphasenabscheidung

Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (CVD), selten auch chemische Dampfphasenabscheidung, versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren bzw.

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Diamantstruktur

Kubische Kristallstruktur des Diamanten. Die Diamantstruktur (auch Diamantgitter, A4-Typ oder Diamanttyp) ist eine Kristallstruktur, das heißt das Anordnungsmuster der Atome eines kristallinen Materials.

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Einkristall

Monokristallines Silicium (Ingot) für die Wafer-Herstellung Ein Einkristall oder Monokristall ist ein makroskopischer Kristall, dessen Bausteine (Atome, Ionen oder Moleküle) ein durchgehendes einheitliches, homogenes Kristallgitter bilden.

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Elektronenvolt

Das Elektronenvolt, amtlich Elektronvolt, ist eine Einheit der Energie, die in der Atom-, Kern- und Teilchenphysik häufig benutzt wird.

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Elektronik

Elektronikbaugruppe eines Frequenzumrichters integrierten Schaltkreis (oben), Widerständen (rechts unten), zwei Leuchtdioden (Mitte links) und einem Kondensator (hellbrauner Quader Mitte rechts) Die Elektronik ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik.

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Galliumarsenid

Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann.

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Germanium(IV)-oxid

Germanium(IV)-oxid ist eine chemische Verbindung aus der Gruppe der Germaniumverbindungen und Oxide.

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Halbleiter

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

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Halbmetalle

Die Halbmetalle sind Elemente und stehen im Periodensystem zwischen den Metallen und den Nichtmetallen.

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Hauptgruppe

In der Chemie bezeichnet man als Hauptgruppen diejenigen Gruppen des Periodensystems, die zum s- und p-Block des Periodensystems gehören.

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Periodensystem

Das Periodensystem (Langfassung Periodensystem der Elemente, abgekürzt PSE oder PSdE) ist eine Liste aller chemischen Elemente, geordnet nach steigender Kernladung (Ordnungszahl).

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Selen

Selen (griech. σελήνη, „Mond“) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Se und der Ordnungszahl 34.

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Silicium

Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.

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Siliciumgermanium

Siliciumgermanium (fachsprachlich; standardsprachlich Siliziumgermanium), kurz SiGe, ist ein IV-IV-Verbindungshalbleiter bestehend aus den Elementen Silicium (Si) und Germanium (Ge).

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Wafer

Wafer von 2 Zoll bis 8 Zoll Als Wafer (für „dünner Keks“ oder „dünne Brotscheibe“) werden in der Mikroelektronik, Photovoltaik und Mikrosystemtechnik kreisrunde oder quadratische, etwa ein Millimeter dicke Scheiben bezeichnet.

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Zinkselenid

Zinkselenid (ZnSe) ist ein II-VI-Verbindungshalbleiter-Material.

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Zinn

Zinn ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Sn und der Ordnungszahl 50.

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Zonenschmelzverfahren

Gerade angewachsener Siliciumkristall Wachsender Siliciumkristall Im Zonenschmelzverfahren hergestellter Tantal-Einkristall (zylindrisch, Bildmitte) mit einer Reinheit von 99,999 % (5N). Das Zonenschmelzverfahren (auch: „Zonenziehen“) ist ein Verfahren zur Herstellung von hochreinen einkristallinen Werkstoffen.

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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Germanium und Halbleiter

Germanium verfügt über 144 Beziehungen, während Halbleiter hat 248. Als sie gemeinsam 20 haben, ist der Jaccard Index 5.10% = 20 / (144 + 248).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Germanium und Halbleiter. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

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