Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Galliumarsenidphosphid und Leuchtdiode
Galliumarsenidphosphid und Leuchtdiode haben 6 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bandlücke, Dotierung, Elektronenvolt, Galliumarsenid, Galliumphosphid, III-V-Verbindungshalbleiter.
Bandlücke
Als Bandlücke, auch Bandabstand bzw.
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Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
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Elektronenvolt
Das Elektronenvolt, amtlich Elektronvolt, ist eine Einheit der Energie, die in der Atom-, Kern- und Teilchenphysik häufig benutzt wird.
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Galliumarsenid
Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann.
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Galliumphosphid
Galliumphosphid ist eine binäre Halbleiterverbindung aus Gallium und Phosphor.
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III-V-Verbindungshalbleiter
Hauptgruppe III/V aus dem Periodensystem Bei einem III-V-Verbindungshalbleiter handelt es sich um eine Verbindung von Materialien der chemischen Hauptgruppe III (Erdmetalle/Borgruppe) und V (Stickstoff-Phosphor-Gruppe), deren Kombination die elektrische Leitfähigkeit von Halbleitern besitzt.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Galliumarsenidphosphid und Leuchtdiode
- Was es gemein hat Galliumarsenidphosphid und Leuchtdiode
- Ähnlichkeiten zwischen Galliumarsenidphosphid und Leuchtdiode
Vergleich zwischen Galliumarsenidphosphid und Leuchtdiode
Galliumarsenidphosphid verfügt über 11 Beziehungen, während Leuchtdiode hat 193. Als sie gemeinsam 6 haben, ist der Jaccard Index 2.94% = 6 / (11 + 193).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Galliumarsenidphosphid und Leuchtdiode. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
