Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Floating-Gate-Transistor und NAND-Flash
Floating-Gate-Transistor und NAND-Flash haben 8 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bit, Charge-Trapping-Speicher, Elektrische Ladung, Flash-Speicher, Intel, MLC-Speicherzelle, SD-Karte, SLC-Speicherzelle.
Bit
Der Begriff Bit (Kofferwort aus) Duden, Bibliographisches Institut, 2016 wird in der Informatik, der Informationstechnik, der Nachrichtentechnik sowie verwandten Fachgebieten in folgenden Bedeutungen verwendet.
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Charge-Trapping-Speicher
Charge-Trapping-Speicher, ist eine Halbleiterspeichertechnik, die primär bei EEPROMs und in hochkapazitiven, nichtflüchtigen Flashspeichern, die als NAND-Flash oder NOR-Flash organisiert sind, eingesetzt wird.
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Elektrische Ladung
Die elektrische Ladung oder Elektrizitätsmenge ist eine physikalische Größe, die mit der Materie verbunden ist, wie beispielsweise auch die Masse.
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Flash-Speicher
Flash-Speicher sind digitale Speicherbausteine für eine nichtflüchtige Speicherung ohne Erhaltungs-Energieverbrauch.
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Intel
Hauptsitz von Intel (2023) Intel Corporation (von, deutsch integrierte Elektronik; NASDAQ-Küzel INTC) ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Hauptsitz im kalifornischen Santa Clara (Silicon Valley).
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MLC-Speicherzelle
Die verschiedenen Speicherzellen im Vergleich MLC-Speicherzellen (MLC kurz für) sind Speicherzellen, in denen mehr als ein Bit pro Zelle gespeichert wird.
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SD-Karte
Eine SD-Karte (von) ist ein digitales Speichermedium, das nach dem Prinzip der Flash-Speicherung arbeitet.
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SLC-Speicherzelle
Die verschiedenen Speicherzellen im Vergleich SLC-Speicherzellen (SLC kurz für) sind Speicherzellen, die aus NAND-Flash bestehen und jeweils ein Bit speichern (vergleiche MLC-Speicherzelle).
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Floating-Gate-Transistor und NAND-Flash
- Was es gemein hat Floating-Gate-Transistor und NAND-Flash
- Ähnlichkeiten zwischen Floating-Gate-Transistor und NAND-Flash
Vergleich zwischen Floating-Gate-Transistor und NAND-Flash
Floating-Gate-Transistor verfügt über 31 Beziehungen, während NAND-Flash hat 49. Als sie gemeinsam 8 haben, ist der Jaccard Index 10.00% = 8 / (31 + 49).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Floating-Gate-Transistor und NAND-Flash. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
