Ähnlichkeiten zwischen Flash-Speicher und Integrierter Schaltkreis
Flash-Speicher und Integrierter Schaltkreis haben 10 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Byte, Complementary metal-oxide-semiconductor, Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, Elektrischer Widerstand, Feldeffekttransistor, Intel, Intel 4004, Mikrocontroller, Random-Access Memory, Speicherbaustein.
Byte
Das Byte (wohl gebildet zu „Bit“) – Duden, Bibliographisches Institut, 2016 ist eine Maßeinheit der Digitaltechnik und der Informatik, das meist für eine Folge aus 8 Bit steht.
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Complementary metal-oxide-semiconductor
Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk.
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Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
Serielles EEPROM PLCC-Chipgehäuse Ein EEPROM (engl. Abk. für electrically erasable programmable read-only memory, wörtlich: elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher, auch E2PROM) ist ein nichtflüchtiger, elektronischer Speicherbaustein, dessen gespeicherte Information elektrisch gelöscht werden kann.
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Elektrischer Widerstand
Der elektrische Widerstand ist in der Elektrotechnik ein Maß dafür, welche elektrische Spannung erforderlich ist, um eine bestimmte elektrische Stromstärke durch einen elektrischen Leiter (Bauelement, Stromkreis) fließen zu lassen.
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Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
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Intel
Hauptsitz von Intel (2023) Intel Corporation (von, deutsch integrierte Elektronik; NASDAQ-Küzel INTC) ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Hauptsitz im kalifornischen Santa Clara (Silicon Valley).
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Intel 4004
Der Intel 4004 ist ein 4-Bit-Mikroprozessor des Mikrochipherstellers Intel, der am 9.
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Mikrocontroller
Als Mikrocontroller (auch µController, µC, MCU oder Einchipmikrorechner) werden Halbleiterchips bezeichnet, die einen Prozessor und zugleich auch Peripheriefunktionen enthalten.
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Random-Access Memory
Random-Access Memory (der oder das;, zu Deutsch: „Speicher mit wahlfreiem/direktem Zugriff“.
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Speicherbaustein
Ein Speicherbaustein ist ein diskreter integrierter Schaltkreis (IC), das heißt ein IC in einem Gehäuse, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Flash-Speicher und Integrierter Schaltkreis
- Was es gemein hat Flash-Speicher und Integrierter Schaltkreis
- Ähnlichkeiten zwischen Flash-Speicher und Integrierter Schaltkreis
Vergleich zwischen Flash-Speicher und Integrierter Schaltkreis
Flash-Speicher verfügt über 82 Beziehungen, während Integrierter Schaltkreis hat 172. Als sie gemeinsam 10 haben, ist der Jaccard Index 3.94% = 10 / (82 + 172).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Flash-Speicher und Integrierter Schaltkreis. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter: