Ähnlichkeiten zwischen Flash-Speicher und Floating-Gate-Transistor
Flash-Speicher und Floating-Gate-Transistor haben 16 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bit, Charge-Trapping-Speicher, Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, Elektrische Ladung, Elektron, Erasable Programmable Read-Only Memory, Feldeffekttransistor, Integrierter Schaltkreis, Intel, Isolierschicht-Feldeffekttransistor, MLC-Speicherzelle, NAND-Flash, Nichtflüchtiger Speicher, Siliciumdioxid, SLC-Speicherzelle, Tunneleffekt.
Bit
Der Begriff Bit (Kofferwort aus) Duden, Bibliographisches Institut, 2016 wird in der Informatik, der Informationstechnik, der Nachrichtentechnik sowie verwandten Fachgebieten in folgenden Bedeutungen verwendet.
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Charge-Trapping-Speicher
Charge-Trapping-Speicher, ist eine Halbleiterspeichertechnik, die primär bei EEPROMs und in hochkapazitiven, nichtflüchtigen Flashspeichern, die als NAND-Flash oder NOR-Flash organisiert sind, eingesetzt wird.
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Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
Serielles EEPROM PLCC-Chipgehäuse Ein EEPROM (engl. Abk. für electrically erasable programmable read-only memory, wörtlich: elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher, auch E2PROM) ist ein nichtflüchtiger, elektronischer Speicherbaustein, dessen gespeicherte Information elektrisch gelöscht werden kann.
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Elektrische Ladung
Die elektrische Ladung oder Elektrizitätsmenge ist eine physikalische Größe, die mit der Materie verbunden ist, wie beispielsweise auch die Masse.
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Elektron
Das Elektron (IPA:,; von „Bernstein“) ist ein negativ geladenes stabiles Elementarteilchen.
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Erasable Programmable Read-Only Memory
Ein EPROM (engl. Abk. für erasable programmable read-only memory, wörtlich löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher) ist ein nichtflüchtiger elektronischer Speicherbaustein, der bis etwa Mitte der 1990er-Jahre vor allem in der Computer­technik eingesetzt wurde, inzwischen aber weitgehend durch EEPROMs und Flash-Speicher abgelöst ist.
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Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Intel
Hauptsitz von Intel (2023) Intel Corporation (von, deutsch integrierte Elektronik; NASDAQ-Küzel INTC) ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Hauptsitz im kalifornischen Santa Clara (Silicon Valley).
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Isolierschicht-Feldeffekttransistor
Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-MOSFET, mit einer Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (gelb) Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren.
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MLC-Speicherzelle
Die verschiedenen Speicherzellen im Vergleich MLC-Speicherzellen (MLC kurz für) sind Speicherzellen, in denen mehr als ein Bit pro Zelle gespeichert wird.
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NAND-Flash
NAND-Flash-Chip von SK Hynix NAND-Flash bezeichnet einen Typ von Flash-Speicher, der in der sogenannten NAND-Technik gefertigt ist.
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Nichtflüchtiger Speicher
Als nichtflüchtige Speicher (Mehrzahl; Einzahl: „nichtflüchtiger Speicher“; dies lehnübersetzt aus dem amerikanisch-englischen ‚nonvolatile …‘ oder ‚non-volatile memory‘, kurz NVM) – zudem genauer nichtflüchtige Datenspeicher und (wieder allgemeiner) auch „persistente Speicher“, übersetzt also als Dauerspeicher oder auch Festspeicher – werden in der elektronischen Datenverarbeitung verschiedene Datenspeicher bezeichnet, deren gespeicherte Informationen auf Dauer erhalten bleiben – also auch während der Rechner nicht in Betrieb ist oder nicht mit Strom versorgt wird.
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Siliciumdioxid
Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.
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SLC-Speicherzelle
Die verschiedenen Speicherzellen im Vergleich SLC-Speicherzellen (SLC kurz für) sind Speicherzellen, die aus NAND-Flash bestehen und jeweils ein Bit speichern (vergleiche MLC-Speicherzelle).
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Tunneleffekt
Aufenthaltswahrscheinlichkeit eines Elektrons, das auf eine Potentialbarriere trifft. Mit geringer Wahrscheinlichkeit geht es durch die Barriere hindurch, was nach der klassischen Physik nicht möglich wäre. Tunneleffekt ist in der Physik eine veranschaulichende Bezeichnung dafür, dass ein Teilchen eine Potentialbarriere von endlicher Höhe auch dann überwinden kann, wenn seine Energie geringer als die „Höhe“ der Barriere ist.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Flash-Speicher und Floating-Gate-Transistor
- Was es gemein hat Flash-Speicher und Floating-Gate-Transistor
- Ähnlichkeiten zwischen Flash-Speicher und Floating-Gate-Transistor
Vergleich zwischen Flash-Speicher und Floating-Gate-Transistor
Flash-Speicher verfügt über 82 Beziehungen, während Floating-Gate-Transistor hat 31. Als sie gemeinsam 16 haben, ist der Jaccard Index 14.16% = 16 / (82 + 31).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Flash-Speicher und Floating-Gate-Transistor. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter: