Feldeffekttransistor und Thyristor

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Feldeffekttransistor und Thyristor

Feldeffekttransistor vs. Thyristor

Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw. Thyristor Thyristor ist die Bezeichnung für ein Bauteil in der Elektrotechnik.

Bell Laboratories

Nokia Bell Labs Murray Hill, NJ Haupteingang Nokia Bell Labs Murray Hill, NJ Die Bell Laboratories (auch Bell Labs, früher Bell Telephone Laboratories, kurz BTL) sind die ehemalige Forschungsabteilung der Telefongesellschaft AT&T, in der im Laufe des 20.

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Bipolartransistor

Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.

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Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

Schaltzeichen der vier IGBT-Typen nach DIN EN 60617-5 Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt.

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Dotierung

Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.

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Elektrischer Strom

Der elektrische Strom, oft auch nur Strom, ist eine physikalische Erscheinung aus dem Gebiet der Elektrizitätslehre.

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Halbleiter

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

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Ladungsträger (Physik)

Ladungsträger sind elektrisch geladene Teilchen, die elektrische Ladung als physikalische Größe und fundamentale Eigenschaft von Materie transportieren.

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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.

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P-n-Übergang

Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.

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Transistor

THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.

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William Bradford Shockley

William B. Shockley, 1975 William Bradford Shockley (* 13. Februar 1910 in London; † 12. August 1989 in Stanford) war ein US-amerikanischer Physiker.

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