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Feldeffekttransistor und NIGFET

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Feldeffekttransistor und NIGFET

Feldeffekttransistor vs. NIGFET

Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw. Schema eines NIGFET, hier n-Kanal-JFET NIGFET (dt. »Feldeffekttransistor mit nicht isolierter Steuerelektrode«) die Bezeichnung für eine Gruppe von Feldeffekttransistoren, bei denen der Stromfluss durch eine angelegte Steuerspannung quer zur Flussrichtung gesteuert wird.

Ähnlichkeiten zwischen Feldeffekttransistor und NIGFET

Feldeffekttransistor und NIGFET haben 5 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Elektrischer Strom, Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor, Raumladungszone, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, Transistor.

Elektrischer Strom

Der elektrische Strom, oft auch nur Strom, ist eine physikalische Erscheinung aus dem Gebiet der Elektrizitätslehre.

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Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Prinzipskizze eines n-Kanal-MESFETs Der Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MeSFET) ist ein zur Gruppe der Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET) gehörendes elektronisches Halbleiterbauelement.

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Raumladungszone

Eine Raumladungszone (RLZ), auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt, ist im Übergang zwischen unterschiedlich dotierten Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss und Mangel an Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone im Gleichgewichtsfall nach außen ladungsneutral erscheint.

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Sperrschicht-Feldeffekttransistor

Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction-fet, JFET bzw. non-insulated-gate-fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n-Kanal- und p-Kanal-JFETs.

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Transistor

THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.

Feldeffekttransistor und Transistor · NIGFET und Transistor · Mehr sehen »

Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Feldeffekttransistor und NIGFET

Feldeffekttransistor verfügt über 60 Beziehungen, während NIGFET hat 8. Als sie gemeinsam 5 haben, ist der Jaccard Index 7.35% = 5 / (60 + 8).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Feldeffekttransistor und NIGFET. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

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