Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Feldeffekttransistor und Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur
Feldeffekttransistor und Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur haben 7 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Dotierung, Halbleiter, Inversion (Halbleiter), Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, Raumladungszone, Silicium, Siliciumdioxid.
Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Inversion (Halbleiter)
Als Inversion wird in der Halbleitertechnologie sowohl ein Betriebszustand eines MIS-Feldeffekttransistors als auch der allgemeine Fall, dass in einem Halbleiter die Dichte der Minoritätsladungsträger die Dichte der Majoritätsladungsträger erreicht oder übersteigt, bezeichnet.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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Raumladungszone
Eine Raumladungszone (RLZ), auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt, ist im Übergang zwischen unterschiedlich dotierten Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss und Mangel an Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone im Gleichgewichtsfall nach außen ladungsneutral erscheint.
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Silicium
Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.
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Siliciumdioxid
Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Feldeffekttransistor und Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur
- Was es gemein hat Feldeffekttransistor und Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur
- Ähnlichkeiten zwischen Feldeffekttransistor und Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur
Vergleich zwischen Feldeffekttransistor und Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur
Feldeffekttransistor verfügt über 60 Beziehungen, während Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur hat 19. Als sie gemeinsam 7 haben, ist der Jaccard Index 8.86% = 7 / (60 + 19).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Feldeffekttransistor und Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
