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Feldeffekttransistor und Ionensensitiver Feldeffekttransistor

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Feldeffekttransistor und Ionensensitiver Feldeffekttransistor

Feldeffekttransistor vs. Ionensensitiver Feldeffekttransistor

Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw. Der ionensensitive Feldeffekttransistor (ISFET, auch ionenselektiver oder ionenempfindlicher Feldeffekttransistor) ist ein spezieller Typ von Isolierschicht-Feldeffekttransistor (IGFET), der den pH-Wert einer Lösung messen kann.

Ähnlichkeiten zwischen Feldeffekttransistor und Ionensensitiver Feldeffekttransistor

Feldeffekttransistor und Ionensensitiver Feldeffekttransistor haben 3 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Enzymfeldeffekttransistor, Isolierschicht-Feldeffekttransistor, Raumladungszone.

Enzymfeldeffekttransistor

Ein Enzymfeldeffekttransistor (ENFET), auch enzymatisch aktiver Feldeffekttransistor genannt, ist ein spezieller chemisch sensitiver Feldeffekttransistor (ChemFET).

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Isolierschicht-Feldeffekttransistor

Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-MOSFET, mit einer Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (gelb) Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren.

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Raumladungszone

Eine Raumladungszone (RLZ), auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt, ist im Übergang zwischen unterschiedlich dotierten Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss und Mangel an Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone im Gleichgewichtsfall nach außen ladungsneutral erscheint.

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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Feldeffekttransistor und Ionensensitiver Feldeffekttransistor

Feldeffekttransistor verfügt über 60 Beziehungen, während Ionensensitiver Feldeffekttransistor hat 14. Als sie gemeinsam 3 haben, ist der Jaccard Index 4.05% = 3 / (60 + 14).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Feldeffekttransistor und Ionensensitiver Feldeffekttransistor. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

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