Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Erasable Programmable Read-Only Memory und Flash-Speicher
Erasable Programmable Read-Only Memory und Flash-Speicher haben 13 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bit, Dov Frohman, Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, Festwertspeicher, Floating-Gate-Transistor, Integrierter Schaltkreis, Intel, Mikrocontroller, Random-Access Memory, Siliciumdioxid, Speicherbaustein, Tunneleffekt, Ultraviolettstrahlung.
Bit
Der Begriff Bit (Kofferwort aus) Duden, Bibliographisches Institut, 2016 wird in der Informatik, der Informationstechnik, der Nachrichtentechnik sowie verwandten Fachgebieten in folgenden Bedeutungen verwendet.
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Dov Frohman
Dov Frohman, auch Dov Frohman-Bentchkowsky, (* 28. März 1939 in Amsterdam) ist ein israelischer Elektroingenieur und Erfinder des EPROM.
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Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
Serielles EEPROM PLCC-Chipgehäuse Ein EEPROM (engl. Abk. für electrically erasable programmable read-only memory, wörtlich: elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher, auch E2PROM) ist ein nichtflüchtiger, elektronischer Speicherbaustein, dessen gespeicherte Information elektrisch gelöscht werden kann.
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Festwertspeicher
Ein Festwertspeicher oder Nur-Lese-Speicher (ROM) ist ein Datenspeicher, auf dem im normalen Betrieb nur lesend zugegriffen werden kann, nicht schreibend, und der nicht flüchtig ist.
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Floating-Gate-Transistor
Ein Floating-Gate-Transistor ist ein spezieller Transistor, der in nichtflüchtigen Speichern zur permanenten Informationsspeicherung eingesetzt wird.
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Intel
Hauptsitz von Intel (2023) Intel Corporation (von, deutsch integrierte Elektronik; NASDAQ-Küzel INTC) ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Hauptsitz im kalifornischen Santa Clara (Silicon Valley).
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Mikrocontroller
Als Mikrocontroller (auch µController, µC, MCU oder Einchipmikrorechner) werden Halbleiterchips bezeichnet, die einen Prozessor und zugleich auch Peripheriefunktionen enthalten.
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Random-Access Memory
Random-Access Memory (der oder das;, zu Deutsch: „Speicher mit wahlfreiem/direktem Zugriff“.
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Siliciumdioxid
Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.
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Speicherbaustein
Ein Speicherbaustein ist ein diskreter integrierter Schaltkreis (IC), das heißt ein IC in einem Gehäuse, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen.
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Tunneleffekt
Aufenthaltswahrscheinlichkeit eines Elektrons, das auf eine Potentialbarriere trifft. Mit geringer Wahrscheinlichkeit geht es durch die Barriere hindurch, was nach der klassischen Physik nicht möglich wäre. Tunneleffekt ist in der Physik eine veranschaulichende Bezeichnung dafür, dass ein Teilchen eine Potentialbarriere von endlicher Höhe auch dann überwinden kann, wenn seine Energie geringer als die „Höhe“ der Barriere ist.
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Ultraviolettstrahlung
Ultraviolettstrahlung, kurz UV, UV-Strahlung, UV-Licht oder Schwarzlicht, ist elektromagnetische Strahlung im optischen Frequenzbereich (Licht) mit kürzeren Wellenlängen als das für den Menschen sichtbare Licht.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Erasable Programmable Read-Only Memory und Flash-Speicher
- Was es gemein hat Erasable Programmable Read-Only Memory und Flash-Speicher
- Ähnlichkeiten zwischen Erasable Programmable Read-Only Memory und Flash-Speicher
Vergleich zwischen Erasable Programmable Read-Only Memory und Flash-Speicher
Erasable Programmable Read-Only Memory verfügt über 38 Beziehungen, während Flash-Speicher hat 82. Als sie gemeinsam 13 haben, ist der Jaccard Index 10.83% = 13 / (38 + 82).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Erasable Programmable Read-Only Memory und Flash-Speicher. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
