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Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor und Feldeffekttransistor

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor und Feldeffekttransistor

Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor vs. Feldeffekttransistor

Der electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor (engl., kurz EOSFET, dt. „Elektrolyt-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor“) ist ein spezieller Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (IGFET). Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.

Ähnlichkeiten zwischen Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor und Feldeffekttransistor

Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor und Feldeffekttransistor haben 2 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Isolierschicht-Feldeffekttransistor, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor.

Isolierschicht-Feldeffekttransistor

Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-MOSFET, mit einer Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (gelb) Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren.

Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor und Isolierschicht-Feldeffekttransistor · Feldeffekttransistor und Isolierschicht-Feldeffekttransistor · Mehr sehen »

Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.

Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor · Feldeffekttransistor und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor · Mehr sehen »

Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor und Feldeffekttransistor

Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor verfügt über 7 Beziehungen, während Feldeffekttransistor hat 60. Als sie gemeinsam 2 haben, ist der Jaccard Index 2.99% = 2 / (7 + 60).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor und Feldeffekttransistor. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

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