Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Dynamic Random Access Memory und Synchronous Dynamic Random Access Memory
Dynamic Random Access Memory und Synchronous Dynamic Random Access Memory haben 13 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Arbeitsspeicher, Column Address Strobe Latency, Computer, DDR-SDRAM, Dual Inline Memory Module, Dynamic Random Access Memory, Extended Data Output Random Access Memory, Halbleiterspeicher, Intel, JEDEC Solid State Technology Association, Random-Access Memory, Small Outline Dual Inline Memory Module, Speicherbaustein.
Arbeitsspeicher
Der Arbeitsspeicher oder Hauptspeicher eines Computers ist die Bezeichnung für den Speicher, der die gerade auszuführenden Programme oder Programmteile und die dabei benötigten Daten enthält.
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Column Address Strobe Latency
Die Column Address Strobe Latency (englisch, kurz CL oder CAS Latency), auch Speicherlatenz genannt, ist die benötigte Zeit um eine Spalte im Hauptspeicher eines Computers zu adressieren.
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Computer
Ein Computer (englisch; deutsche Aussprache) oder Rechner ist ein Gerät, das mittels programmierbarer Rechenvorschriften Daten verarbeitet.
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DDR-SDRAM
Zwei DDR-SDRAM-Module: oben 512 MiB beidseitig bestückt mit Heatspreader, unten 256 MiB einseitig bestückt SDRAM (nicht im Bild) hat zwei Kerben in der Kontaktleiste. DDR-SDRAM (oft auch nur: DDR-RAM) ist ein halbleiterbasierter RAM-Typ, der durch Weiterentwicklung von SDRAM entstand.
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Dual Inline Memory Module
DIMM bestückt mit 512 MiB SDRAM/„Grün“ (Bleifreies Speichermodul)Dual Inline Memory Module (DIMM, englisch etwa doppelreihiges Speichermodul) sind Speichermodule für den Arbeitsspeicher von Computern.
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Dynamic Random Access Memory
VRAM. Dynamic Random Access Memory (DRAM) oder der halb eingedeutschte Begriff dynamisches RAM bezeichnet eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff (Random-Access Memory, RAM), der hauptsächlich in Computern eingesetzt wird, jedoch auch in anderen elektronischen Geräten wie zum Beispiel Druckern zur Anwendung kommt.
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Extended Data Output Random Access Memory
SIMM 2× 512kB EDO-RAM von Mosel Vitelic auf einer 3dfx Voodoo Graphics Der EDO-RAM (Extended Data Output RAM, auch als Hyper Page Mode RAM bezeichnet) ist ein Halbleiterspeicher.
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Halbleiterspeicher
Ein Halbleiterspeicher ist ein Datenspeicher, der aus einem Halbleiter besteht.
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Intel
Hauptsitz von Intel (2023) Intel Corporation (von, deutsch integrierte Elektronik; NASDAQ-Küzel INTC) ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Hauptsitz im kalifornischen Santa Clara (Silicon Valley).
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JEDEC Solid State Technology Association
Logo Die JEDEC Solid State Technology Association (kurz JEDEC) ist eine US-amerikanische Organisation zur Standardisierung von Halbleitern.
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Random-Access Memory
Random-Access Memory (der oder das;, zu Deutsch: „Speicher mit wahlfreiem/direktem Zugriff“.
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Small Outline Dual Inline Memory Module
PC6400 DDR2 SO-DIMM (200 Pins) PC3-10600 DDR3 SO-DIMM (204 Pins) SO-DIMM-Slot auf einer Hauptplatine Zwei SO-DIMM-Module DDR2 PC5300 mit unterschiedlicher Kapazität von zwei Herstellern, betriebsfertig eingebaut Vergleich von 200-pin SO-DIMMs für DDR-SDRAM, DDR2-SDRAM und DDR3-SDRAM (inkl. Bemaßung) SO-DIMMs (Small Outline Dual Inline Memory Module) sind Speichermodule, die hauptsächlich in Notebook-Systemen eingesetzt werden.
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Speicherbaustein
Ein Speicherbaustein ist ein diskreter integrierter Schaltkreis (IC), das heißt ein IC in einem Gehäuse, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Dynamic Random Access Memory und Synchronous Dynamic Random Access Memory
- Was es gemein hat Dynamic Random Access Memory und Synchronous Dynamic Random Access Memory
- Ähnlichkeiten zwischen Dynamic Random Access Memory und Synchronous Dynamic Random Access Memory
Vergleich zwischen Dynamic Random Access Memory und Synchronous Dynamic Random Access Memory
Dynamic Random Access Memory verfügt über 91 Beziehungen, während Synchronous Dynamic Random Access Memory hat 31. Als sie gemeinsam 13 haben, ist der Jaccard Index 10.66% = 13 / (91 + 31).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Dynamic Random Access Memory und Synchronous Dynamic Random Access Memory. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
