Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Dynamic Random Access Memory und NVRAM
Dynamic Random Access Memory und NVRAM haben 8 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Complementary metal-oxide-semiconductor, Dynamic Random Access Memory, Ferroelectric Random Access Memory, Kondensator (Elektrotechnik), Magnetoresistive Random Access Memory, Phase-change Random Access Memory, Random-Access Memory, Static random-access memory.
Complementary metal-oxide-semiconductor
Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk.
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Dynamic Random Access Memory
VRAM. Dynamic Random Access Memory (DRAM) oder der halb eingedeutschte Begriff dynamisches RAM bezeichnet eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff (Random-Access Memory, RAM), der hauptsächlich in Computern eingesetzt wird, jedoch auch in anderen elektronischen Geräten wie zum Beispiel Druckern zur Anwendung kommt.
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Ferroelectric Random Access Memory
FeRAM von Ramtron Als Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen Speichertyp auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften, das heißt dem Ferromagnetismus analoge elektrische Eigenschaften.
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Kondensator (Elektrotechnik)
Prinzipdarstellung eines Kondensators mit Dielektrikum Ein Kondensator (von) ist ein passives elektrisches Bauelement mit der Fähigkeit, in einem Gleichstromkreis elektrische Ladung und die damit zusammenhängende Energie statisch in einem elektrischen Feld zu speichern.
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Magnetoresistive Random Access Memory
Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) ist eine nichtflüchtige Speichertechnik, die seit den 1990er Jahren entwickelt wird.
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Phase-change Random Access Memory
Phase-change Random Access Memory (PCRAM, PRAM oder kurz PCM; in einer speziellen Ausführung auch Ovonics Unified Memory, OUM oder chalcogenide RAM, C-RAM) ist ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher in der Elektronik (Stand 2009).
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Random-Access Memory
Random-Access Memory (der oder das;, zu Deutsch: „Speicher mit wahlfreiem/direktem Zugriff“.
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Static random-access memory
Hynix Static random-access memory (deutsch: statisches RAM, Abkürzung: SRAM) bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Dynamic Random Access Memory und NVRAM
- Was es gemein hat Dynamic Random Access Memory und NVRAM
- Ähnlichkeiten zwischen Dynamic Random Access Memory und NVRAM
Vergleich zwischen Dynamic Random Access Memory und NVRAM
Dynamic Random Access Memory verfügt über 91 Beziehungen, während NVRAM hat 28. Als sie gemeinsam 8 haben, ist der Jaccard Index 6.72% = 8 / (91 + 28).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Dynamic Random Access Memory und NVRAM. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
