Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Logikfamilie
Complementary metal-oxide-semiconductor und Logikfamilie haben 13 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bipolartransistor, Digitaltechnik, Diode, Feldeffekttransistor, Halbleiterprozess, Integrierter Schaltkreis, Latch-up-Effekt, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, NMOS-Logik, PMOS, Transistor, Transistor-Transistor-Logik, Verlustleistung.
Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Digitaltechnik
Analoges Signal – digital abgetastet Die Digitaltechnik ist ein Teilgebiet der technischen Informatik und der Elektronik und befasst sich mit digitalen Schaltungen.
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Diode
Schaltzeichen einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Elektrode bei Beschaltung in Durchlassrichtung Auswirkung einer Diode je nach Richtung (Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen Eine Diode ist ein elektronisches Bauelement auf Halbleiterbasis, das elektrischen Strom in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt.
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Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
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Halbleiterprozess
Ein Halbleiterprozess bezeichnet in der Halbleitertechnik eine Folge von Prozessen zur Fertigung von Halbleiterbauelementen und mikroelektronischen Schaltungen.
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Latch-up-Effekt
Der Fachbegriff Latch-up-Effekt (von englisch „einrasten“, auch single event latchup, SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS-Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen Kurzschluss führen kann.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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NMOS-Logik
Die NMOS-Logik (von) ist eine Halbleitertechnik, welche bei digitalen, integrierten Schaltungen Anwendung findet und zur Realisierung von Logikschaltungen dient.
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PMOS
Nicht-Gatter in PMOS-Technik Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.
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Transistor
THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.
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Transistor-Transistor-Logik
Die Transistor-Transistor-Logik (TTL) ist eine Schaltungstechnik (Logikfamilie) für logische Schaltungen (Gatter), bei der als aktives Bauelement der Schaltung planare npn-Bipolartransistoren verwendet werden.
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Verlustleistung
Als Verlustleistung bezeichnet man die Differenz zwischen aufgenommener Leistung (Leistungsaufnahme) und in der gewünschten Form abgegebener Leistung (Leistungsabgabe) eines Gerätes oder Prozesses.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Complementary metal-oxide-semiconductor und Logikfamilie
- Was es gemein hat Complementary metal-oxide-semiconductor und Logikfamilie
- Ähnlichkeiten zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Logikfamilie
Vergleich zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Logikfamilie
Complementary metal-oxide-semiconductor verfügt über 50 Beziehungen, während Logikfamilie hat 63. Als sie gemeinsam 13 haben, ist der Jaccard Index 11.50% = 13 / (50 + 63).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Logikfamilie. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
