Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Latch-up-Effekt
Complementary metal-oxide-semiconductor und Latch-up-Effekt haben 6 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bipolartransistor, Diode, Elektrisches Bauelement, Feldeffekttransistor, Integrierter Schaltkreis, Substrat (Materialwissenschaft).
Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Diode
Schaltzeichen einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Elektrode bei Beschaltung in Durchlassrichtung Auswirkung einer Diode je nach Richtung (Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen Eine Diode ist ein elektronisches Bauelement auf Halbleiterbasis, das elektrischen Strom in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt.
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Elektrisches Bauelement
Als elektrisches Bauelement wird in der Elektrotechnik ein wesentlicher Bestandteil einer elektrischen Schaltung bezeichnet, der physisch nicht weiter unterteilt werden kann, ohne seine Funktion zu verlieren.
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Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Substrat (Materialwissenschaft)
In der Materialwissenschaft ist das Substrat das zu behandelnde Material.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Complementary metal-oxide-semiconductor und Latch-up-Effekt
- Was es gemein hat Complementary metal-oxide-semiconductor und Latch-up-Effekt
- Ähnlichkeiten zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Latch-up-Effekt
Vergleich zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Latch-up-Effekt
Complementary metal-oxide-semiconductor verfügt über 50 Beziehungen, während Latch-up-Effekt hat 31. Als sie gemeinsam 6 haben, ist der Jaccard Index 7.41% = 6 / (50 + 31).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Latch-up-Effekt. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
