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Charge-Trapping-Speicher und Flash-Speicher

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Charge-Trapping-Speicher und Flash-Speicher

Charge-Trapping-Speicher vs. Flash-Speicher

Charge-Trapping-Speicher, ist eine Halbleiterspeichertechnik, die primär bei EEPROMs und in hochkapazitiven, nichtflüchtigen Flashspeichern, die als NAND-Flash oder NOR-Flash organisiert sind, eingesetzt wird. Flash-Speicher sind digitale Speicherbausteine für eine nichtflüchtige Speicherung ohne Erhaltungs-Energieverbrauch.

Ähnlichkeiten zwischen Charge-Trapping-Speicher und Flash-Speicher

Charge-Trapping-Speicher und Flash-Speicher haben 10 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Defektelektron, Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, Elektrische Ladung, Elektron, Feldeffekttransistor, Floating-Gate-Transistor, Mikrocontroller, NAND-Flash, NOR-Flash, Siliciumnitrid.

Defektelektron

Als Defektelektron, Elektronenfehlstelle, Elektronenloch oder Loch wird der (gedachte) positive bewegliche Ladungsträger in Halbleitern bezeichnet.

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Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

Serielles EEPROM PLCC-Chipgehäuse Ein EEPROM (engl. Abk. für electrically erasable programmable read-only memory, wörtlich: elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher, auch E2PROM) ist ein nichtflüchtiger, elektronischer Speicherbaustein, dessen gespeicherte Information elektrisch gelöscht werden kann.

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Elektrische Ladung

Die elektrische Ladung oder Elektrizitätsmenge ist eine physikalische Größe, die mit der Materie verbunden ist, wie beispielsweise auch die Masse.

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Elektron

Das Elektron (IPA:,; von „Bernstein“) ist ein negativ geladenes stabiles Elementarteilchen.

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Feldeffekttransistor

Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.

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Floating-Gate-Transistor

Ein Floating-Gate-Transistor ist ein spezieller Transistor, der in nichtflüchtigen Speichern zur permanenten Informationsspeicherung eingesetzt wird.

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Mikrocontroller

Als Mikrocontroller (auch µController, µC, MCU oder Einchipmikrorechner) werden Halbleiterchips bezeichnet, die einen Prozessor und zugleich auch Peripheriefunktionen enthalten.

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NAND-Flash

NAND-Flash-Chip von SK Hynix NAND-Flash bezeichnet einen Typ von Flash-Speicher, der in der sogenannten NAND-Technik gefertigt ist.

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NOR-Flash

NOR-Flash-Chip von Intel in einem iPhone 3G NOR-Flash bezeichnet einen Typ von Flash-Speicher, der in der sogenannten NOR-Technik gefertigt ist.

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Siliciumnitrid

Kugeln aus Siliziumnitrid Siliciumnitrid (auch: Siliziumnitrid) ist eine chemische Verbindung, die als Bestandteil eines technischen Werkstoffs genutzt wird.

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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Charge-Trapping-Speicher und Flash-Speicher

Charge-Trapping-Speicher verfügt über 15 Beziehungen, während Flash-Speicher hat 82. Als sie gemeinsam 10 haben, ist der Jaccard Index 10.31% = 10 / (15 + 82).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Charge-Trapping-Speicher und Flash-Speicher. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

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