Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und P-n-Übergang
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und P-n-Übergang haben 8 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bipolartransistor, Diffusion, Dotierung, Elektron, Feldeffekttransistor, Halbleiter, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, Sperrspannung.
Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Diffusion
Modellhafte Darstellung der Durchmischung zweier Stoffe durch Diffusion Diffusion (lateinisch diffusio, von „ausgießen“, „verstreuen“, „ausbreiten“) ist der ohne äußere Einwirkung eintretende Ausgleich von Konzentrationsunterschieden in Stoffgemischen als natürlich ablaufender physikalischer Prozess aufgrund der Eigenbewegung der beteiligten Teilchen.
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Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
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Elektron
Das Elektron (IPA:,; von „Bernstein“) ist ein negativ geladenes stabiles Elementarteilchen.
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Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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Sperrspannung
Strom-Spannungs-Charakteristik mit Durchbruchsbereich Die Sperrspannung (auch Einsatzspannung genannt) ist jene elektrische Spannung, welche über einem in Sperrrichtung gepolten p-n-Übergang anliegt.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und P-n-Übergang
- Was es gemein hat Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und P-n-Übergang
- Ähnlichkeiten zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und P-n-Übergang
Vergleich zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und P-n-Übergang
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode verfügt über 38 Beziehungen, während P-n-Übergang hat 52. Als sie gemeinsam 8 haben, ist der Jaccard Index 8.89% = 8 / (38 + 52).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und P-n-Übergang. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
