Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Latch-up-Effekt

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Unterschied zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Latch-up-Effekt

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode vs. Latch-up-Effekt

Schaltzeichen der vier IGBT-Typen nach DIN EN 60617-5 Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt. Der Fachbegriff Latch-up-Effekt (von englisch „einrasten“, auch single event latchup, SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS-Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen Kurzschluss führen kann.

Ähnlichkeiten zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Latch-up-Effekt

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Latch-up-Effekt haben 5 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bipolartransistor, Dotierung, Epitaxie, Feldeffekttransistor, Thyristor.

Bipolartransistor

Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.

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Dotierung

Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.

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Epitaxie

Epitaxie (von altgriechisch ἐπί epí „auf, über“ und τάξις taxis, „Ordnung, Ausrichtung“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann.

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Feldeffekttransistor

Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.

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Thyristor

Thyristor Thyristor ist die Bezeichnung für ein Bauteil in der Elektrotechnik.

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Ähnlichkeiten zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Latch-up-Effekt

Vergleich zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Latch-up-Effekt

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode verfügt über 38 Beziehungen, während Latch-up-Effekt hat 31. Als sie gemeinsam 5 haben, ist der Jaccard Index 7.25% = 5 / (38 + 31).

Referenzen

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