Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Atomlagenabscheidung und Epitaxie
Atomlagenabscheidung und Epitaxie haben 5 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Chemische Gasphasenabscheidung, Metallorganische Gasphasenepitaxie, Mikroelektronik, Molekularstrahlepitaxie, Schichtwachstum.
Chemische Gasphasenabscheidung
Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (CVD), selten auch chemische Dampfphasenabscheidung, versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren bzw.
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Metallorganische Gasphasenepitaxie
Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE, auch organo-metallic vapor phase epitaxy, OMVPE) ist ein Epitaxieverfahren zur Herstellung von kristallinen Schichten.
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Mikroelektronik
Die Mikroelektronik ist ein Teilgebiet der Elektronik, genauer der Halbleiterelektronik, und der Mikrotechnik.
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Molekularstrahlepitaxie
Molekularstrahlepitaxie (MBE) ist ein Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), um kristalline dünne Schichten (bzw. Schichtsysteme) herzustellen.
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Schichtwachstum
Unter Schichtwachstum versteht man in der Oberflächenchemie und -physik das Wachstum atomarer oder molekularer Strukturen an einer Phasengrenze.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Atomlagenabscheidung und Epitaxie
- Was es gemein hat Atomlagenabscheidung und Epitaxie
- Ähnlichkeiten zwischen Atomlagenabscheidung und Epitaxie
Vergleich zwischen Atomlagenabscheidung und Epitaxie
Atomlagenabscheidung verfügt über 32 Beziehungen, während Epitaxie hat 53. Als sie gemeinsam 5 haben, ist der Jaccard Index 5.88% = 5 / (32 + 53).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Atomlagenabscheidung und Epitaxie. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
