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32 Beziehungen: Backward-Diode, Differentieller Widerstand, Diode, Dotierung, Elektronischer Schalter, Elektrostatik, Fermi-Energie, Galliumantimonid, Galliumarsenid, Germanium, Halbleiter, Hochfrequenz, Indium, Japan, Josephson-Effekt, Lambda-Diode, Legierung, Leitungsband, Leo Esaki, Oszillator, Oszillatorschaltung, P-n-Übergang, Permittivität, Phonon, Resonanztunneldiode, Silicium, Sperrschicht, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, Tunneleffekt, Valenzband, Verstärker (Elektrotechnik), Zustandsdichte.
Backward-Diode
Schaltzeichen Die Backward-Diode (dt. Rückwärtsdiode, auch engl. „back diode“) ist eine Sonderform der Tunneldiode.
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Differentieller Widerstand
Für Widerstände und andere zweipolige passive elektrische Bauelemente, für die sich zeitunabhängig eine Spannung U aufgrund einer Stromstärke I angeben lässt, ist die physikalische Größe Elektrischer Widerstand definiert als das Verhältnis Spannung zu Stromstärke.
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Diode
Schaltzeichen einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Elektrode bei Beschaltung in Durchlassrichtung Auswirkung einer Diode je nach Richtung (Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen Eine Diode ist ein elektronisches Bauelement auf Halbleiterbasis, das elektrischen Strom in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt.
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Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
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Elektronischer Schalter
Elektronischer Schalter, Maxim Integrated MAX313 Ein elektronischer Schalter, auch Analogschalter oder Halbleiterschalter, ist Bestandteil einer elektronischen Schaltung, die die Funktion eines elektromechanischen Schalters realisiert.
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Elektrostatik
Styropor-Polstermaterial wird vom Fell einer Katze elektrostatisch angezogen Blitze als Folge von elektrostatischer Aufladung Die Elektrostatik ist das Teilgebiet der Physik, das sich mit ruhenden elektrischen Ladungen, Ladungsverteilungen und den elektrischen Feldern geladener Körper befasst.
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Fermi-Energie
Die Fermi-Energie (auch Fermi-Niveau oder Fermi-Potential, engste Umgebung Fermi-Kante; nach Enrico Fermi) ist ein physikalischer Begriff aus der Quantenstatistik.
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Galliumantimonid
Der Verbindungshalbleiter Galliumantimonid (GaSb) ist ein direkter Halbleiter mit einer Bandlücke von 0,72 eV (300 K).
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Galliumarsenid
Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann.
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Germanium
Germanium (von ‚Deutschland‘, nach dem Land, in dem es zuerst gefunden wurde) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Ge und der Ordnungszahl 32.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Hochfrequenz
Hochfrequenz (HF) ist in der Elektrotechnik die Bezeichnung für Frequenzen über denen von hörbaren Schallwellen (welche als Niederfrequenz bezeichnet werden).
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Indium
Indium ist ein chemisches Element mit dem Symbol In und der Ordnungszahl 49.
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Japan
Japan (amtlicher deutscher Name; japanisch 日本, ausgesprochen als Nihon oder Nippon) ist ein 14.125 Inseln umfassender ostasiatischer Staat im Pazifik, der indirekt im Norden und Nordwesten an Russland, im Westen an Nord- und Südkorea und im Südwesten an Taiwan und China grenzt, flächenmäßig der viertgrößte und bevölkerungsmäßig der zweitgrößte Inselstaat der Welt.
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Josephson-Effekt
Der Josephson-Effekt ist ein physikalischer Effekt, der den Tunnelstrom zwischen zwei Supraleitern beschreibt.
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Lambda-Diode
Schaltung einer Lambda-Diode mit zwei JFETs. I-U-Kennlinie Eine Lambda-Diode ist eine elementare elektrische Schaltung mit zwei Anschlüssen, welche aus zwei Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFETs) besteht und ähnlich wie eine Tunneldiode in ihrer Kennlinie einen differentiellen negativen Widerstand aufweist.
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Legierung
Eine Legierung (von) ist in der Metallurgie ein makroskopisch homogener metallischer Werkstoff aus mindestens zwei Elementen (Komponenten), von denen mindestens eins ein Metall ist und die gemeinsam das metalltypische Merkmal der Metallbindung aufweisen.
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Leitungsband
Der Begriff Leitungsband gehört in der Festkörperphysik zum Bändermodell, mit dem die elektrische Leitfähigkeit von Materialien erklärt wird.
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Leo Esaki
„Esaki-Diode“. Leo Esaki (jap. 江崎 玲於奈, Esaki Reona; * 12. März 1925 in der Präfektur Osaka) ist ein japanischer Physiker.
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Oszillator
Ein Oszillator (von) ist ein schwingungsfähiges System.
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Oszillatorschaltung
Eine Oszillatorschaltung ist ein elektronisch realisierter Oszillator (daher auch kurz Oszillator genannt) zur Erzeugung einer sinusförmigen Wechselspannung.
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P-n-Übergang
Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.
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Permittivität
Die Permittivität ''ε'' (von lat. permittere: erlauben, überlassen, zulassen), auch dielektrische Leitfähigkeit, Dielektrizität oder dielektrische Funktion genannt (Dielektrizitätskonstante soll nicht verwendet werdenIEC 60050, siehe Eintrag 121-12-12.), gibt in der Elektrodynamik sowie der Elektrostatik die Polarisationsfähigkeit eines Materials durch elektrische Felder an.
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Phonon
Ein Phonon ist die elementare Anregung (Quant) des elastischen Feldes.
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Resonanztunneldiode
Kennlinie einer Resonanztunneldiode bei Variation des Energiezustandes Eine Resonanztunneldiode oder Interband-Tunnel-Diode ist eine Diode mit zwei wenige Nanometer dicken Tunnelbarrieren.
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Silicium
Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.
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Sperrschicht
Das Wort Sperrschicht bezeichnet im Allgemeinen eine undurchlässige Schicht.
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Sperrschicht-Feldeffekttransistor
Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction-fet, JFET bzw. non-insulated-gate-fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n-Kanal- und p-Kanal-JFETs.
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Tunneleffekt
Aufenthaltswahrscheinlichkeit eines Elektrons, das auf eine Potentialbarriere trifft. Mit geringer Wahrscheinlichkeit geht es durch die Barriere hindurch, was nach der klassischen Physik nicht möglich wäre. Tunneleffekt ist in der Physik eine veranschaulichende Bezeichnung dafür, dass ein Teilchen eine Potentialbarriere von endlicher Höhe auch dann überwinden kann, wenn seine Energie geringer als die „Höhe“ der Barriere ist.
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Valenzband
Der Begriff Valenzband gehört zum Bändermodell, mit dem die elektrische Leitfähigkeit, speziell die der Halbleiter, erklärt wird.
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Verstärker (Elektrotechnik)
Ein Verstärker ist eine elektronische Baugruppe mit mindestens einem aktiven Bauelement (meist einem Transistor, einem integrierten Operationsverstärker, vereinzelt auch einer Röhre), welche ein eingehendes Analogsignal so verarbeitet, dass die Ausgangsgröße größer wird als die Eingangsgröße.
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Zustandsdichte
Die Zustandsdichte D(E) bzw.
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Leitet hier um:
Esaki-Diode, Tunnel Diode, Tunnel-Diode.
