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12 Beziehungen: Aspektverhältnis (Strukturierung), Bipolar-CMOS-Technik, Dielektrikum, Dynamic Random Access Memory, Grabenisolation, Halbleitertechnik, Kondensator (Elektrotechnik), Qimonda, Reaktives Ionentiefenätzen, Siemens-Verfahren, Silicium, Wafer.
Aspektverhältnis (Strukturierung)
Als Aspektverhältnis (engl. aspect ratio) bezeichnet man in der Verfahrenstechnik das Verhältnis aus der Tiefe bzw.
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Bipolar-CMOS-Technik
Die Bipolar-CMOS-Technik (BiCMOS-Technik) ist eine Fertigungsmethode der Halbleitertechnik, die zwei ursprünglich getrennte Schaltungstechniken, nämlich den Schaltungen aus Bipolartransistoren (BJT) und CMOS-Logikgattern (komplementäre Metall-Oxid-Halbleiter) basierend auf Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), in einer einzigen integrierten Schaltung vereint.
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Dielektrikum
Als Dielektrikum (Mehrzahl: Dielektrika) wird eine elektrisch schwach- oder nichtleitende Substanz bezeichnet, in der die vorhandenen Ladungsträger nicht frei beweglich sind.
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Dynamic Random Access Memory
VRAM. Dynamic Random Access Memory (DRAM) oder der halb eingedeutschte Begriff dynamisches RAM bezeichnet eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff (Random-Access Memory, RAM), der hauptsächlich in Computern eingesetzt wird, jedoch auch in anderen elektronischen Geräten wie zum Beispiel Druckern zur Anwendung kommt.
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Grabenisolation
Die Grabenisolation (STI, auch box isolation technique, BIT) ist ein Verfahren der Halbleitertechnik zur elektrischen Isolation einzelner Bauelemente (meist MIS-Feldeffekttransistoren) auf integrierten Schaltkreisen (IC).
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Halbleitertechnik
Integrierter Schaltkreis (IC). Das Chip-Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen Anschlussleitungen zu erkennen, die die elektrische Verdrahtung zwischen IC und Gehäusekontakten bilden. Die Halbleitertechnik (HLT) ist ein technischer Fachbereich, der sich mit Entwurf und Fertigung von Produkten auf der Basis von Halbleitermaterialien, vor allem mit denen für mikroelektronische Baugruppen, beispielsweise integrierte Schaltungen, beschäftigt.
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Kondensator (Elektrotechnik)
Prinzipdarstellung eines Kondensators mit Dielektrikum Ein Kondensator (von) ist ein passives elektrisches Bauelement mit der Fähigkeit, in einem Gleichstromkreis elektrische Ladung und die damit zusammenhängende Energie statisch in einem elektrischen Feld zu speichern.
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Qimonda
Die Qimonda AG war ein Halbleiterhersteller mit Hauptsitz in München.
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Reaktives Ionentiefenätzen
Reaktives Ionentiefenätzen (DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzens (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukturen in Silicium mit einem Aspektverhältnis (Verhältnis von Tiefe zu Breite) von bis zu 50:1, wobei Strukturtiefen von einigen 100 Mikrometern erreicht werden können.
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Siemens-Verfahren
Resultat des Verfahrens: Polykristallines Solarsilicium Das Siemens-Verfahren ermöglicht die Herstellung von polykristallinem Silicium von hoher Reinheit.
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Silicium
Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.
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Wafer
Wafer von 2 Zoll bis 8 Zoll Als Wafer (für „dünner Keks“ oder „dünne Brotscheibe“) werden in der Mikroelektronik, Photovoltaik und Mikrosystemtechnik kreisrunde oder quadratische, etwa ein Millimeter dicke Scheiben bezeichnet.
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