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12 Beziehungen: Anwendungsspezifische integrierte Schaltung, Festwertspeicher, Gate-Array, Integrierter Schaltkreis, Investitionsausgaben, Leiterbahn, Masse (Elektronik), Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, PMOS, Random-Access Memory, Routing, Transistor.
Anwendungsspezifische integrierte Schaltung
Eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung (ASIC, auch Custom Chip) ist eine elektronische Schaltung, die als integrierter Schaltkreis realisiert wurde.
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Festwertspeicher
Ein Festwertspeicher oder Nur-Lese-Speicher (ROM) ist ein Datenspeicher, auf dem im normalen Betrieb nur lesend zugegriffen werden kann, nicht schreibend, und der nicht flüchtig ist.
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Gate-Array
Gate-Array ULA aus einem Sinclair ZX81 Gate-Arrays (engl., dt. etwa „(Logik-)Gatterfeld“) sind anwendungsspezifische integrierte Schaltungen (ASIC) bestehend aus vorkonfektionierten Logikschaltungen, die bei der Endfertigung kundenspezifisch verknüpft werden.
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Investitionsausgaben
Investitionsausgaben (auch CAPEX, für; umgangssprachlich auch "Investitionskosten") werden die bei einer Investition getätigten Ausgaben für längerfristige Anlagegüter genannt, beispielsweise für neue Betriebs- und Geschäftsausstattung, Fahrzeugpark, Immobilien oder Maschinen.
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Leiterbahn
Leiterbahnen (auch Leitbahnen oder selten Leitungsbahnen) sind in der Mikroelektronik elektrisch leitende Verbindungen mit zweidimensionalem Verlauf, d. h.
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Masse (Elektronik)
Als Masse (engl. ground, abgekürzt GND) bezeichnet man einen leitenden Körper, dem im Regelfall das Potential null zugeordnet wird, welches das Bezugspotential für alle Signal- und Betriebsspannungen darstellt.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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PMOS
Nicht-Gatter in PMOS-Technik Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.
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Random-Access Memory
Random-Access Memory (der oder das;, zu Deutsch: „Speicher mit wahlfreiem/direktem Zugriff“.
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Routing
Routing (BE) /, aber auch (AE) (engl. „Vermittlung“, „Leitweglenkung“, „Streckenführung“, „Verkehrsführung“ sowie „leiten“, „senden“, „steuern“) ist in der Telekommunikation der Anglizismus für das Festlegen von Wegen für Nachrichtenströme bei der Nachrichtenübermittlung in Rechnernetzen.
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Transistor
THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.
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