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NRAM

Index NRAM

Nanotube-based, Nano-RAM oder auch NRAM ist der Name einer Halbleiterspeichertechnik.

8 Beziehungen: Elektrische Spannung, Elektrischer Widerstand, Halbleiterspeicher, Kohlenstoff, Nanoröhre, NVRAM, Transistor, Woburn (Massachusetts).

Elektrische Spannung

Die elektrische Spannung (oft auch vereinfacht nur als Spannung bezeichnet) ist eine grundlegende physikalische Größe der Elektrotechnik und Elektrodynamik.

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Elektrischer Widerstand

Der elektrische Widerstand ist in der Elektrotechnik ein Maß dafür, welche elektrische Spannung erforderlich ist, um eine bestimmte elektrische Stromstärke durch einen elektrischen Leiter (Bauelement, Stromkreis) fließen zu lassen.

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Halbleiterspeicher

Ein Halbleiterspeicher ist ein Datenspeicher, der aus einem Halbleiter besteht.

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Kohlenstoff

Kohlenstoff (von urgerm. kul-a-, kul-ō(n)-,Kohle‘) oder Carbon (von lat. carbō,Holzkohle‘, latinisiert Carboneum oder Carbonium) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol C und der Ordnungszahl 6.

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Nanoröhre

Eine Nanoröhre ist ein länglicher Hohlkörper mit einem Durchmesser von weniger als 100 Nanometern.

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NVRAM

NVRAM (Abk. für) ist in der Elektronik ein nichtflüchtiger Datenspeicher, der auf RAM basiert und dessen Dateninhalt ohne externe Energieversorgung erhalten bleibt.

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Transistor

THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.

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Woburn (Massachusetts)

Woburn ist ein Ort im Middlesex County, Massachusetts, USA.

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Leitet hier um:

Nano-RAM, Nanotube-based, non-volatile random access memory.

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