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16 Beziehungen: Aufzeichnungsdichte, BCH-Code, Bit, Die (Halbleitertechnik), Dynamic Random Access Memory, Elektrischer Widerstand, Elektronische Schaltung, Fehlerkorrekturverfahren, Flash-Speicher, Floating-Gate-Transistor, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, NAND-Flash, Phase-change Random Access Memory, SLC-Speicherzelle, TLC-Speicherzelle, USB-Stick.
Aufzeichnungsdichte
Unterschiedliche Aufzeichnungsdichten bei magnetischen Speichermedien Die Aufzeichnungsdichte, auch Speicher-, Daten- oder Datenaufzeichnungsdichte genannt, ist ein Maß für die Anzahl der Daten pro Flächen-, Längen- oder Gewichtseinheit, die auf einem Datenträger gespeichert werden kann.
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BCH-Code
BCH-Codes (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem-Codes) sind zyklische fehlerkorrigierende Codes, welche in der digitalen Signalverarbeitung und Datenspeicherung eingesetzt werden.
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Bit
Der Begriff Bit (Kofferwort aus) Duden, Bibliographisches Institut, 2016 wird in der Informatik, der Informationstechnik, der Nachrichtentechnik sowie verwandten Fachgebieten in folgenden Bedeutungen verwendet.
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Die (Halbleitertechnik)
Ein Die (für „Würfel“, „Plättchen“, dt. Plural i. A. „Dies“;Laut Google: "Halbleiterdice" - 6 Treffer; "Halbleiterdies" - 339 Treffer; Stand: 03/2018 englischer Plural: dice oder dies und die) ist in der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik die Bezeichnung eines einzelnen, ungehäusten Stücks eines Halbleiter-Wafers.
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Dynamic Random Access Memory
VRAM. Dynamic Random Access Memory (DRAM) oder der halb eingedeutschte Begriff dynamisches RAM bezeichnet eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff (Random-Access Memory, RAM), der hauptsächlich in Computern eingesetzt wird, jedoch auch in anderen elektronischen Geräten wie zum Beispiel Druckern zur Anwendung kommt.
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Elektrischer Widerstand
Der elektrische Widerstand ist in der Elektrotechnik ein Maß dafür, welche elektrische Spannung erforderlich ist, um eine bestimmte elektrische Stromstärke durch einen elektrischen Leiter (Bauelement, Stromkreis) fließen zu lassen.
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Elektronische Schaltung
Schaltplan zur Veranschaulichung einer Schaltung, hier eines Lampendimmers Eine elektronische Schaltung ist ein Zusammenschluss von elektrischen und insbesondere elektronischen Bauelementen (beispielsweise Dioden und Transistoren) zu einer (funktionierenden) Anordnung.
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Fehlerkorrekturverfahren
Um Übertragungsfehler zu beseitigen, die durch die Erdatmosphäre verursacht wurden (links), verwendeten Goddard-Wissenschaftler die Reed-Solomon-Fehlerkorrektur (rechts), die üblicherweise in CDs und DVDs verwendet wird. Typische Fehler sind fehlende Pixel (weiß) und falsche Signale (schwarz). Der weiße Streifen zeigt einen kurzen Zeitraum an, in dem die Übertragung unterbrochen wurde. Fehlerkorrekturverfahren, auch Error Correcting Code oder Error Checking and Correction (ECC), dienen dazu, Fehler bei der Speicherung und Übertragung von Daten zu erkennen und möglichst zu korrigieren.
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Flash-Speicher
Flash-Speicher sind digitale Speicherbausteine für eine nichtflüchtige Speicherung ohne Erhaltungs-Energieverbrauch.
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Floating-Gate-Transistor
Ein Floating-Gate-Transistor ist ein spezieller Transistor, der in nichtflüchtigen Speichern zur permanenten Informationsspeicherung eingesetzt wird.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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NAND-Flash
NAND-Flash-Chip von SK Hynix NAND-Flash bezeichnet einen Typ von Flash-Speicher, der in der sogenannten NAND-Technik gefertigt ist.
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Phase-change Random Access Memory
Phase-change Random Access Memory (PCRAM, PRAM oder kurz PCM; in einer speziellen Ausführung auch Ovonics Unified Memory, OUM oder chalcogenide RAM, C-RAM) ist ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher in der Elektronik (Stand 2009).
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SLC-Speicherzelle
Die verschiedenen Speicherzellen im Vergleich SLC-Speicherzellen (SLC kurz für) sind Speicherzellen, die aus NAND-Flash bestehen und jeweils ein Bit speichern (vergleiche MLC-Speicherzelle).
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TLC-Speicherzelle
Die verschiedenen Speicherzellen im Vergleich TLC-Speicherzellen (TLC kurz für) sind Speicherzellen der Bauart NAND-Flash, die 3 Bits (im Englischen in diesem Zusammenhang als level bezeichnet) pro Speicherzelle speichern können.
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USB-Stick
Häufigste Anwendung ist der USB-Speicherstick Ein USB-Stick bezeichnet allgemein ein kompakt gebautes elektronisches Gerät, das über den Universal Serial Bus (USB) mit einem anderen Gerät, beispielsweise einem PC, verbunden wird.
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Leitet hier um:
Multi Level Cell, Multi-Level Cell, Multi-Level-Cell-Speicherzelle, Multi-Level-Speicherung.
