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Hydridgasphasenepitaxie

Index Hydridgasphasenepitaxie

Hydridgasphasenepitaxie (HVPE) ist ein epitaktisches Beschichtungsverfahren.

30 Beziehungen: Ammoniak, Beschichten, Borgruppe, Chlorwasserstoff, Dampfdruck, Dünne Schichten, Defekt (Halbleitertechnik), Epitaxie, Gallium, Gallium(III)-chlorid, Galliumarsenid, Galliumnitrid, Gitterfehler, Halbleiter, Hauptgruppe, III-V-Verbindungshalbleiter, Indiumphosphid, Ingot, Kristallstruktur, Laser, Leuchtdiode, Metallorganische Gasphasenepitaxie, Mikroelektronik, Phosphor, Saphir, Siliciumcarbid, Stickstoff, Stickstoffgruppe, Substrat (Materialwissenschaft), Volksrepublik China.

Ammoniak

Ammoniak (von; Aussprache: Betonung in den nördlichen Varianten des Standarddeutschen auf der letzten Silbe:; in den südlichen Varianten hingegen meist auf der ersten:, in Österreich allerdings auf der zweiten:, auch, und) ist eine chemische Verbindung von Stickstoff und Wasserstoff mit der Summenformel NH3.

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Beschichten

Unter Beschichten wird in der Fertigungstechnik eine Hauptgruppe der Fertigungsverfahren nach DIN 8580 verstanden, die zum Aufbringen einer festhaftenden Schicht aus formlosem Stoff auf die Oberfläche eines Werkstückes genutzt werden.

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Borgruppe

Als Borgruppe (auch Triele) bezeichnet man die 3.

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Chlorwasserstoff

Chlorwasserstoff (Summenformel HCl, systematisch auch als Wasserstoffchlorid oder Hydrogenchlorid bezeichnet) ist ein farbloses, stechend riechendes Gas, das sich sehr leicht in Wasser löst.

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Dampfdruck

Kritischen Punkt. Alle Stoffe außer Pentan sind bei Zimmertemperatur (und Normaldruck) gasförmig: A: Methan siedet bei 1 bar bei −160 °C. B: Bei −100 °C entwickelt Methan einen Dampfdruck von 25 bar. C: Bei −170 °C (etwa bei Kühlung durch Flüssigstickstoff) wird Methan bei 1 bar vollständig verflüssigt. Der Dampfdruck ist der Druck, der sich einstellt, wenn sich in einem abgeschlossenen System ein Dampf mit der zugehörigen flüssigen Phase im thermodynamischen Gleichgewicht befindet.

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Dünne Schichten

Unter dünnen Schichten, Dünnschicht oder Film (auch thin layer) versteht man Schichten fester Stoffe mit Dicken im Mikro- beziehungsweise Nanometerbereich.

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Defekt (Halbleitertechnik)

Als Defekte werden in der Halbleitertechnik allgemein unerwünschte, lokale Fehler bei der Fertigung von Halbleiterprodukten bezeichnet.

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Epitaxie

Epitaxie (von altgriechisch ἐπί epí „auf, über“ und τάξις taxis, „Ordnung, Ausrichtung“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann.

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Gallium

Gallium ist ein selten vorkommendes chemisches Element mit dem Elementsymbol Ga und der Ordnungszahl 31.

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Gallium(III)-chlorid

Gallium(III)-chlorid ist eine chemische Verbindung des Galliums und zählt zu den Chloriden.

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Galliumarsenid

Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann.

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Galliumnitrid

Galliumnitrid (GaN) ist ein aus Gallium und Stickstoff bestehender III-V-Halbleiter mit großem Bandabstand (wide bandgap), der in der Optoelektronik insbesondere für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und als Legierungsbestandteil bei High-electron-mobility-Transistoren (HEMT), einer Bauform eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (JFET), Verwendung findet.

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Gitterfehler

Als Gitterfehler (auch Gitterdefekt oder Kristall(bau)fehler) wird jede Unregelmäßigkeit in einem sonst periodischen Kristallgitter bezeichnet.

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Halbleiter

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

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Hauptgruppe

In der Chemie bezeichnet man als Hauptgruppen diejenigen Gruppen des Periodensystems, die zum s- und p-Block des Periodensystems gehören.

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III-V-Verbindungshalbleiter

Hauptgruppe III/V aus dem Periodensystem Bei einem III-V-Verbindungshalbleiter handelt es sich um eine Verbindung von Materialien der chemischen Hauptgruppe III (Erdmetalle/Borgruppe) und V (Stickstoff-Phosphor-Gruppe), deren Kombination die elektrische Leitfähigkeit von Halbleitern besitzt.

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Indiumphosphid

Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik für Laser für die dämpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm über Glasfaserkabel, in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von Integrierten Schaltkreisen (Sandwich-Chips) mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darüber und bei Bauelementen im Bereich der Hochfrequenztechnik wie der Gunndiode eingesetzt wird.

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Ingot

Säule aus monokristallinem Silicium Als Ingot (für ‚Barren‘) wird ein Block aus einem Halbleitermaterial wie Silicium bezeichnet.

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Kristallstruktur

Die atomare Struktur kristalliner Festkörper wird durch die beiden Begriffe ''Gitter'' und Basis beschrieben: das Punktgitter ist ein translationssymmetrisches mathematisches Konstrukt, in dem jedem Punkt die Basis zugeordnet wird.

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Laser

Laser, auch oder (Akronym für) bezeichnet sowohl den physikalischen Effekt als auch das Gerät, mit dem Laserstrahlen erzeugt werden.

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Leuchtdiode

Eine Leuchtdiode (kurz LED von, ‚lichtemittierende Diode‘, auch Lumineszenz-Diode) ist ein Halbleiter-Bauelement, das Licht ausstrahlt, wenn elektrischer Strom in Durchlassrichtung fließt.

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Metallorganische Gasphasenepitaxie

Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE, auch organo-metallic vapor phase epitaxy, OMVPE) ist ein Epitaxieverfahren zur Herstellung von kristallinen Schichten.

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Mikroelektronik

Die Mikroelektronik ist ein Teilgebiet der Elektronik, genauer der Halbleiterelektronik, und der Mikrotechnik.

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Phosphor

Phosphor (von, vom Leuchten des weißen Phosphors bei der Reaktion mit Sauerstoff) ist ein chemisches Element mit dem Symbol P und der Ordnungszahl 15.

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Saphir

Saphir (Aussprache oder) ist eine Varietät des Minerals Korund.

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Siliciumcarbid

Siliciumcarbid (Trivialname: Karborund; andere Schreibweisen: Siliziumcarbid und Siliziumkarbid) ist eine zur Gruppe der Carbide gehörende chemische Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff.

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Stickstoff

Stickstoff ist ein chemisches Element mit der Ordnungszahl 7 und dem Elementsymbol N. Im Periodensystem steht es in der fünften Hauptgruppe bzw.

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Stickstoffgruppe

Die 15.

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Substrat (Materialwissenschaft)

In der Materialwissenschaft ist das Substrat das zu behandelnde Material.

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Volksrepublik China

Die Volksrepublik China, allgemein als China (bundesdeutsches Hochdeutsch, österreichisches Hochdeutsch) bezeichnet, ist ein Staat in Ostasien.

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Leitet hier um:

HVPE.

AusgehendeEingehende
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