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46 Beziehungen: Aluminiumoxid, Amorphes Material, Anatas, Atomlagenabscheidung, Übergangsmetalle, Chemische Gasphasenabscheidung, Dielektrikum, Elektrische Kapazität, Equivalent oxide thickness, Gitterfehler, Hafnium(IV)-oxid, Halbleiter, Halbleitertechnik, Hexagonales Kristallsystem, High-k+Metal-Gate-Technik, Integrierter Schaltkreis, Intel, Kappa, Katalysator, Kondensator (Elektrotechnik), Kubisches Kristallsystem, Low-k-Dielektrikum, Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, Metalle, Metalle der Seltenen Erden, Miniaturisierung, Monoklines Kristallsystem, Nichtleiter, Orthorhombisches Kristallsystem, Permittivität, Physikalische Gasphasenabscheidung, Präkursor, Quantenmechanik, Rutil, Schwellenspannung, Screening, Siliciumdioxid, Statistische Versuchsplanung, Tantal(V)-oxid, Tetragonales Kristallsystem, Tunnelstrom, Vakuum, Ziegler-Natta-Verfahren, Zirconium(IV)-oxid, Zirconiumsilicat.
Aluminiumoxid
Aluminiumoxid auf einer Uhrglasschale Aluminiumoxid ist die Sauerstoffverbindung des chemischen Elements Aluminium.
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Amorphes Material
Als amorphes Material („Gestalt, Form“ mit vorgesetztem Alpha privativum a-, Sinn also etwa „ohne Gestalt“) bezeichnet man in der Physik und der Chemie einen Stoff, bei dem die Atome keine geordneten Strukturen, sondern ein unregelmäßiges Muster bilden und lediglich über Nahordnung, nicht aber Fernordnung verfügen.
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Anatas
Anatas (auch Oktaedrit oder oktaedrischer Schörl; IMA-Symbol Ant) ist ein häufig vorkommendes Mineral aus der Mineralklasse der „Oxide und Hydroxide“ mit der chemischen Zusammensetzung TiO2 und damit chemisch gesehen Titandioxid.
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Atomlagenabscheidung
Die Atomlagenabscheidung (ALD) ist ein Verfahren zur Abscheidung von extrem dünnen Schichten, bis hin zu atomaren Monolagen, auf einem Ausgangsmaterial.
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Übergangsmetalle
Die chemischen Elemente mit den Ordnungszahlen von 21 bis 30, 39 bis 48, 57 bis 80 und 89 bis 112 werden üblicherweise als Übergangselemente bezeichnet.
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Chemische Gasphasenabscheidung
Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (CVD), selten auch chemische Dampfphasenabscheidung, versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren bzw.
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Dielektrikum
Als Dielektrikum (Mehrzahl: Dielektrika) wird eine elektrisch schwach- oder nichtleitende Substanz bezeichnet, in der die vorhandenen Ladungsträger nicht frei beweglich sind.
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Elektrische Kapazität
Die elektrische Kapazität (Formelzeichen C, von; Adjektiv kapazitiv) ist eine physikalische Größe aus dem Bereich der Elektrostatik, Elektronik und Elektrotechnik.
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Equivalent oxide thickness
Der englische Begriff equivalent oxide thickness (EOT, dt. »gleichwertige Oxidschichtdicke«) bezeichnet in der Halbleitertechnik eine Vergleichsgröße einer dünnen Schicht, hauptsächlich von Schichten aus neuartigen High-k-Dielektrika mit Siliciumdioxid, dem Standardgatedielektrikum bei Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs).
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Gitterfehler
Als Gitterfehler (auch Gitterdefekt oder Kristall(bau)fehler) wird jede Unregelmäßigkeit in einem sonst periodischen Kristallgitter bezeichnet.
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Hafnium(IV)-oxid
Hafniumdioxid ist eine chemische Verbindung aus den Elementen Hafnium und Sauerstoff.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Halbleitertechnik
Integrierter Schaltkreis (IC). Das Chip-Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen Anschlussleitungen zu erkennen, die die elektrische Verdrahtung zwischen IC und Gehäusekontakten bilden. Die Halbleitertechnik (HLT) ist ein technischer Fachbereich, der sich mit Entwurf und Fertigung von Produkten auf der Basis von Halbleitermaterialien, vor allem mit denen für mikroelektronische Baugruppen, beispielsweise integrierte Schaltungen, beschäftigt.
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Hexagonales Kristallsystem
Das hexagonale Kristallsystem gehört zu den sieben Kristallsystemen der Kristallographie.
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High-k+Metal-Gate-Technik
Schematischer Querschnitt durch den Gate-Aufbau eines Transistors in High-k+Metal-Gate-Technik Die High-k+Metal-Gate-Technik (HKMG-Technik) bezeichnet in der Halbleitertechnik einen speziellen Aufbau von Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFETs) moderner integrierter Schaltkreise (IC).
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Intel
Hauptsitz von Intel (2023) Intel Corporation (von, deutsch integrierte Elektronik; NASDAQ-Küzel INTC) ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Hauptsitz im kalifornischen Santa Clara (Silicon Valley).
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Kappa
Das Kappa (griechisches Neutrum κάππα, neugriechisch Κάππα (auch „κάπα“), Majuskel Κ, Minuskel κ oder ϰ) ist der 10.
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Katalysator
Katalysator (von der Katalyse – mit lateinischer Endung) bezeichnet in der Chemie einen Stoff, der die Reaktionsgeschwindigkeit durch die Senkung der Aktivierungsenergie einer chemischen Reaktion erhöht, ohne dabei selbst verbraucht zu werden.
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Kondensator (Elektrotechnik)
Prinzipdarstellung eines Kondensators mit Dielektrikum Ein Kondensator (von) ist ein passives elektrisches Bauelement mit der Fähigkeit, in einem Gleichstromkreis elektrische Ladung und die damit zusammenhängende Energie statisch in einem elektrischen Feld zu speichern.
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Kubisches Kristallsystem
Würfelförmiger Pyrit, Navajún, La Rioja, Spanien Sphaleritstufe (Größe: 2,3 × 2,3 × 1,2 cm) aus der Idarado Mine, Colorado, USA Das kubische Kristallsystem gehört zu den sieben Kristallsystemen in der Kristallographie.
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Low-k-Dielektrikum
Als Low-k-Dielektrikum wird in der Halbleitertechnologie ein Material bezeichnet, das eine niedrigere Dielektrizitätszahl als SiO2 aufweist, d. h.
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Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur
MIS-Struktur (Metall/SiO2/p-Si) in einem vertikalen MIS-Kondensator Die Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur (engl. metal insulator semiconductor, kurz MIS) bildet die Grundlage für eine Vielzahl von Bauelementen in der Mikroelektronik, z. B.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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Metalle
Metalle (von „Bergwerk, Erz, Metall“) bilden diejenigen chemischen Elemente, die sich im Periodensystem der Elemente links und unterhalb einer Trennungslinie von Bor bis Astat befinden.
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Metalle der Seltenen Erden
Metalle der Seltenen Erden im Periodensystem der Elemente (fett umrandet) Zu den Metallen der Seltenen Erden gehören die chemischen Elemente der 3. Nebengruppe des Periodensystems (mit Ausnahme des Actiniums) und die Lanthanoide – insgesamt also 17 Elemente.
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Miniaturisierung
Die Miniaturisierung ist ein Prozess zur Verkleinerung von Strukturen unter Beibehaltung der Funktion und eventuell auch der Form.
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Monoklines Kristallsystem
Gipskristallstufe aus Friedrichroda, Thüringen Uranophan-alpha aus der Rössing Mine, Erongo, Namibia Das Monokline Kristallsystem („allein“, „einzig“ und klinein „neigen“, „beugen“) gehört zu den sieben Kristallsystemen der Kristallographie.
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Nichtleiter
Nichtleiter sind Stoffe, deren elektrische Leitfähigkeit mit weniger als 10−8 S·cm−1 bzw.
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Orthorhombisches Kristallsystem
Brookit aus Pakistan Hemimorphit Das orthorhombische Kristallsystem (auch rhombisches Kristallsystem genannt) gehört zu den sieben Kristallsystemen in der Kristallographie.
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Permittivität
Die Permittivität ''ε'' (von lat. permittere: erlauben, überlassen, zulassen), auch dielektrische Leitfähigkeit, Dielektrizität oder dielektrische Funktion genannt (Dielektrizitätskonstante soll nicht verwendet werdenIEC 60050, siehe Eintrag 121-12-12.), gibt in der Elektrodynamik sowie der Elektrostatik die Polarisationsfähigkeit eines Materials durch elektrische Felder an.
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Physikalische Gasphasenabscheidung
Der Begriff physikalische Gasphasenabscheidung (kurz PVD), selten auch physikalische Dampfphasenabscheidung, bezeichnet eine Gruppe von vakuumbasierten Beschichtungsverfahren bzw.
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Präkursor
Als Präkursor (aus ‚Vorläufer‘) wird in der Chemie oder Biochemie bei einem Syntheseweg ein Molekül bezeichnet, das als Ausgangsprodukt (vgl. Edukt) in eine Reaktion eingeht.
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Quantenmechanik
Die Quantenmechanik sichtbar gemacht: Rastertunnelmikroskopaufnahme von Kobaltatomen auf einer Kupferoberfläche. Das Messverfahren nutzt Effekte, die erst durch die Quantenmechanik erklärt werden können. Auch die Interpretation der beobachteten Strukturen beruht auf Konzepten der Quantenmechanik. Die Quantenmechanik ist eine physikalische Theorie, mit der die Eigenschaften und Gesetzmäßigkeiten von Zuständen und Vorgängen der Materie beschrieben werden.
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Rutil
Rutil ist ein häufig vorkommendes Mineral aus der Mineralklasse der „Oxide und Hydroxide“ mit der chemischen Zusammensetzung TiO2 und damit chemisch gesehen Titandioxid. Rutil kristallisiert im tetragonalen Kristallsystem und entwickelt meist kurz- bis langprismatische, vertikal gestreifte Kristalle und sehr häufig Kristallzwillinge in Form polysynthetischer, lamellarer und zyklischer Drillinge, Vierlinge und Sechslinge, aber auch körnige bis massige Mineral-Aggregate. Die meisten Rutilkristalle sind zwischen einigen Millimetern und wenigen Zentimetern groß. Es konnten aber auch Kristalle von bis zu 25 cm Länge gefunden werden. Die Farbe der meist durchsichtigen bis durchscheinenden Kristalle variiert zwischen rötlichbraun und kräftig rot, kann aber auch goldgelb, bläulich oder violett sein. Ebenso sind bunte Anlauffarben möglich. Die Oberflächen der Kristalle weisen einen diamantähnlichen Glanz auf.
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Schwellenspannung
Die Schwellenspannung U_\text, auch Fluss-, Schleusen-, Durchlass-, Vorwärts- oder Kniespannung sowie selten Knickspannung genannt, ist in der Elektronik.
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Screening
Unter Screening versteht man ein systematisches Testverfahren, das eingesetzt wird, um innerhalb eines definierten Prüfbereichs Elemente herauszufiltern, die bestimmte Eigenschaften aufweisen.
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Siliciumdioxid
Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.
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Statistische Versuchsplanung
Geometrisches Modell für einen vollständig faktoriellen Versuchsplan mit drei Faktoren Die statistische Versuchsplanung, kurz SVP (DoE), umfasst alle statistischen Verfahren, die vor Versuchsbeginn angewendet werden sollten.
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Tantal(V)-oxid
Tantal(V)-oxid, Ta2O5, ist eine chemische Verbindung von Tantal und Sauerstoff und neben Tantal(II)-oxid und Tantal(IV)-oxid eines der bekannten Oxide des Tantals.
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Tetragonales Kristallsystem
Roter Zirkon (Größe: 1,0 cm) aus Gilgit, Pakistan Phosgenit, ausgestellt im Royal Ontario Museum Das Tetragonale Kristallsystem gehört zu den sieben Kristallsystemen in der Kristallographie.
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Tunnelstrom
Als Tunnelstrom bezeichnet man einen elektrischen Strom, der durch den quantenmechanischen Tunneleffekt zustande kommt.
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Vakuum
Otto von Guericke demonstrierte 1657 die Wirkung von Vakuum mit seinen Magdeburger Halbkugeln Der äußere Luftdruck presst die Magdeburger Halbkugeln zusammen a) Halbkugeln mit Luft gefüllt b) luftleere Halbkugeln 1. Griff 2. luftdichte Abdichtung 3. Magdeburger Halbkugel 4. Luftdruck 5. (weitgehend) Vakuum Glasglocke mit Kolben-Vakuumpumpe für Schulversuche Vakuum ist in der technischen Praxis ein Raum mit weitgehender Abwesenheit von Materie.
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Ziegler-Natta-Verfahren
Mit Ziegler-Natta-Verfahren (früher auch Mülheimer Prozess) bezeichnet man ein Verfahren zur Herstellung von Polyolefinen über koordinative Insertionspolymerisation mit metallorganischen Katalysatoren.
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Zirconium(IV)-oxid
BaddeleyitKugeln aus ZrO2-Keramik zur Verwendung in Kugellagern Zirconium(IV)-oxid (ZrO2), Zirconiumdioxid (ältere Namen sind Zirkonsäure oder Zirkonerde), ist nach Zirkon die in der Natur häufigste Verbindung des Elementes Zirconium.
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Zirconiumsilicat
--> | Quelle GHS-Kz.
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