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Isolierschicht-Feldeffekttransistor

Index Isolierschicht-Feldeffekttransistor

Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-MOSFET, mit einer Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (gelb) Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren.

18 Beziehungen: Chemisch sensitiver Feldeffekttransistor, Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor, Elektrischer Strom, Enzymfeldeffekttransistor, Feldeffekttransistor, Hafnium(IV)-oxid, High-k-Dielektrikum, Influenz, Ionensensitiver Feldeffekttransistor, Isolierschicht-Feldeffekttransistor, Isolierstoff, Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor, Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, NIGFET, Organischer Feldeffekttransistor, Siliciumdioxid, Siliciumnitrid.

Chemisch sensitiver Feldeffekttransistor

Ein chemisch sensitiver Feldeffekttransistor (kurz ChemFET) ist eine spezielle Form eines Feldeffekttransistors, der als Sensor für Chemikalien und chemische Eigenschaften von Substanzen eingesetzt wird.

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Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor

Der electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor (engl., kurz EOSFET, dt. „Elektrolyt-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor“) ist ein spezieller Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (IGFET).

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Elektrischer Strom

Der elektrische Strom, oft auch nur Strom, ist eine physikalische Erscheinung aus dem Gebiet der Elektrizitätslehre.

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Enzymfeldeffekttransistor

Ein Enzymfeldeffekttransistor (ENFET), auch enzymatisch aktiver Feldeffekttransistor genannt, ist ein spezieller chemisch sensitiver Feldeffekttransistor (ChemFET).

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Feldeffekttransistor

Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.

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Hafnium(IV)-oxid

Hafniumdioxid ist eine chemische Verbindung aus den Elementen Hafnium und Sauerstoff.

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High-k-Dielektrikum

Als High-k-Dielektrikum wird in der Halbleitertechnik ein Material bezeichnet, das eine höhere Dielektrizitätszahl _\mathrm aufweist als herkömmliches Siliciumdioxid (εr.

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Influenz

Veranschaulichung elektrischer Influenz auf einen negativ geladenen Leiter Störung des Feldes durch Influenz auf einen Leiter Influenz (lat. Einfluss), auch Elektrostatische Induktion genannt, bezeichnet die räumliche Verschiebung elektrischer Ladungen durch die Einwirkung eines elektrischen Feldes.

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Ionensensitiver Feldeffekttransistor

Der ionensensitive Feldeffekttransistor (ISFET, auch ionenselektiver oder ionenempfindlicher Feldeffekttransistor) ist ein spezieller Typ von Isolierschicht-Feldeffekttransistor (IGFET), der den pH-Wert einer Lösung messen kann.

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Isolierschicht-Feldeffekttransistor

Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-MOSFET, mit einer Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (gelb) Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren.

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Isolierstoff

Ein Isolierstoff (auch Isoliermittel) ist in der Fachsprache ein nichtleitendes Material, das also nur eine extrem geringe und somit vernachlässigbare elektrische Leitfähigkeit hat.

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Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor

Struktur des CNTFET, Objekt der Forschung Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor (CNTFET) ist ein Transistor, der in der Halbleiterstruktur Kohlenstoffnanoröhren (CNT) verwendet.

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Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur

MIS-Struktur (Metall/SiO2/p-Si) in einem vertikalen MIS-Kondensator Die Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur (engl. metal insulator semiconductor, kurz MIS) bildet die Grundlage für eine Vielzahl von Bauelementen in der Mikroelektronik, z. B.

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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.

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NIGFET

Schema eines NIGFET, hier n-Kanal-JFET NIGFET (dt. »Feldeffekttransistor mit nicht isolierter Steuerelektrode«) die Bezeichnung für eine Gruppe von Feldeffekttransistoren, bei denen der Stromfluss durch eine angelegte Steuerspannung quer zur Flussrichtung gesteuert wird.

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Organischer Feldeffekttransistor

Der organische Feldeffekttransistor (OFET) ist ein Feldeffekttransistor (FET), der mindestens als Halbleiter ein organisches Material nutzt.

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Siliciumdioxid

Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.

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Siliciumnitrid

Kugeln aus Siliziumnitrid Siliciumnitrid (auch: Siliziumnitrid) ist eine chemische Verbindung, die als Bestandteil eines technischen Werkstoffs genutzt wird.

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Leitet hier um:

Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, Feldeffekttransitor mit isolierter Gate-Elektrode, IGFET, MISFET, Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor.

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